Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum) :500 mA
Statut du produit :Dépassé
Type de transistor :NPN - Pré-décentré
Fréquence - transition :200 MHz
Type de montage :Monture de surface
Le paquet :Tape et bobine (TR)
Série :-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC :300mV @ 2.5mA, 50mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) :50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :SOT-323
Mfr :Diodes incorporées
Résistance - base d'émetteur (R2) :10 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum) :Pour les appareils à commande numérique:
Puissance - maximum :200 mW
Emballage / boîtier :SC-70, SOT-323
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce :56 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base :Le DDTD114
Définition :Le projet de projet est présenté dans le cadre de l'examen de l'application de la directive.
Le stock :En stock
Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
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