Module FF300R12KT4 d'IGBT
Le collecteur-emittersaturationvoltage IC de Kollektor-émetteur-Sättigungsspannung = 300 A, VGE = 15 V IC = 300 A, VGE = 15 V IC = 300 A, VGE = 15 V VCE a reposé 1,75 2,05 2,10 2,15 V V porte-Schwellenspannung Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gatethresholdvoltage IC de V = 11,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V Gateladung Gatecharge VGE = -15 V… +15 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj de V QG 2,40 = Ω Eingangskapazität Inputcapacitance de 25°C RGint 2,5 f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies N-F 19,0 Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 collecteurs-emittercut-offcurrent de Kollektor-émetteur-Reststrom de V Cres 0,81 N-F VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C GLACE la porte-emitterleakagecurrent de Porte-émetteur-Reststrom de 5,0 mA VCE = 0 V, VGE = 20 V, Na Einschaltverzögerungszeit, tour-ondelaytime d'induktiveLast, inductiveload IC de Tvj = de 25°C IGES 400 = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 le Ω TD sur 0,16 0,17 0,18 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit, induktivAnstiegszeit, temps de montée d'induktiveLast, inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω TR 0,04 0 045 0,05 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit, tour-offdelaytime d'induktiveLast, inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω TD outre de 0,45 0,52 0,54 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit, induktiveLast Falltime, inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω tf 0,10 0,16 0,18 µs µs µs Tvj = tour-onenergylossperpulse IC de 25°C Tvj = de 125°C Tvj = de 150°C EinschaltverlustenergieproPuls = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 150°C) RGon de = éon 16,5 1,8 Ω 25,0 30,0 MJ MJ MJ Tour-offenergylossperpulse IC de Tvj = de 25°C Tvj = de 125°C Tvj = de 150°C AbschaltverlustenergieproPuls = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) RGoff = 1,8 Ω Eoff 19,5 29,5 32,5 MJ MJ MJ Tvj = ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES - LsCE de 25°C Tvj = de 125°C Tvj = de 150°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE ·µs du ≤ 10 de l'ISC tP de di/dt, Tvj = 125°C 1200 un Wärmewiderstand, ChipbisGehäu
Q1. Quels sont vos termes de l'emballage ?
: Généralement, nous emballons nos marchandises dans des boîtiers blancs neutres et des cartons bruns.
Si vous avez légalement enregistré le brevet, nous pouvons emballer les marchandises dans des vos boîtes marquées après avoir reçu vos lettres d'autorisation.
Q2. Quel est votre MOQ ?
: Nous te fournissons petit MOQ pour chaque article, il dépend votre ordre spécifique !
Q3. Est-ce que vous examinez ou vérifiez toutes vos marchandises avant la livraison ?
: Oui, nous avons l'essai de 100% et vérifions toutes les marchandises avant la livraison.
Q4 : Comment rendez-vous nos affaires des relations à long terme et bonnes ?
Nous gardons la bonne qualité et le prix concurrentiel pour assurer nos clients bénéficient ;
Nous respectons chaque client car notre ami et nous sincèrement faire des affaires et faire des amis avec eux, il n'est pas quelque chose qui peut être remplacé.
Q5 : Comment nous contacter ?
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