Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

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semiconducteur métal oxyde de transistor MOSFET de 150W rf RFP-LD10M PXAC241702FC-V1-R250

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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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semiconducteur métal oxyde de transistor MOSFET de 150W rf RFP-LD10M PXAC241702FC-V1-R250

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Numéro de type :PXAC241702FC-V1-R250
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement :50000pcs
Délai de livraison :2-3days
Détails d'emballage :250PCS / REEL
Tension claque de drain-source de Vds- :65 V
Sur-Drain-source du RDS sur la résistance :190 mOhms
Gain :DB 16,5
De puissance de sortie :150w
Température de fonctionnement maximum :+ 225 C
Fréquence d'opération :2300 mégahertz à 2400 mégahertz
Nombre de canaux :La Manche 2
Quantité de emballage d'usine :250
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Transistor RFP-LD10M de l'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde de PXAC241702FC-V1-R250 rf (transistor MOSFET de rf)

 

                                                    Description
ThePXAC241702FC est 28 un FET de V LDMOS avec une conception métrique d'asym destinée à l'utilisation dans des applications cellulaires multistandard d'amplificateur de puissance dans la bande de fréquence de 2300 à 2400 mégahertz. Les caractéristiques incluent le paquet de conception de double-chemin, à gain élevé et thermique-augmentée avec la bride earless. Construit avec le processus avancé du LDMOS de Wolfspeed, ce dispositif fournit l'excellente représentation thermique et la fiabilité supérieure.

Toutes les données éditées à TCASE = 25°C sauf indication contraire ESD : La décharge électrostatique sensible dispositif-observent manipuler des précautions ! Commande du silicium 4600 | Durham, OR 27703 03, 2018-07-03PXAC241702FC puissance élevée rf LDMOS FET150 W, 28 V, 2300 – 2400 MHzFeatures du paquet H-37248-4Thermally-Enhanced• Conception asymétrique de Doherty - canalisation : P1dB de = type crête 60 W : P1dB de = type 90 W • Assortiment interne à bande large d'entrée et sortie • Représentation pulsée typique d'onde entretenue, 2350 mégahertz, 28 V, configuration de Doherty - de puissance de sortie à P1dB de = efficacité 100 W = 49% - gain = DB 17,5• Protection intégrée d'ESD : Modèle de corps humain, classe 1C (par JESD22-A114)• Capable de manipuler le 10:1 VSWR @28 V, 120 W (onde entretenue) de puissance de sortie• Basse résistance thermique• sans Pb et RoHS complian

semiconducteur métal oxyde de transistor MOSFET de 150W rf RFP-LD10M PXAC241702FC-V1-R250

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Q1. Quels sont vos termes de l'emballage ?

: Généralement, nous emballons nos marchandises dans des boîtiers blancs neutres et des cartons bruns.

Si vous avez légalement enregistré le brevet, nous pouvons emballer les marchandises dans des vos boîtes marquées après avoir reçu vos lettres d'autorisation.

 

Q2. Quel est votre MOQ ?

: Nous te fournissons petit MOQ pour chaque article, il dépend votre ordre spécifique !

 

Q3. Est-ce que vous examinez ou vérifiez toutes vos marchandises avant la livraison ?

: Oui, nous avons l'essai de 100% et vérifions toutes les marchandises avant la livraison.

 

Q4 : Comment rendez-vous nos affaires des relations à long terme et bonnes ?

Nous gardons la bonne qualité et le prix concurrentiel pour assurer nos clients bénéficient ;

Nous respectons chaque client car notre ami et nous sincèrement faire des affaires et faire des amis avec eux, il n'est pas quelque chose qui peut être remplacé.

 

Q5 : Comment nous contacter ?
: Envoyez vos détails d'enquête dans le ci-dessous, clic « envoient " maintenant ! ! !

 

Technologie Cie., Ltd de Shenzhen Hongxinwei

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Améliorez le système de gestion sans interruption pour répondre au besoin des clients pour les produits et services de haute qualité.

 

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