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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:Mr段

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China Triode 200mW de transistor MOSFET de la Manche du silicium N de BF999 E6327 rf wholesale

Triode 200mW de transistor MOSFET de la Manche du silicium N de BF999 E6327 rf

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Number modèle :BF999 E6327

Point d'origine :La Chine

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union

Capacité d'approvisionnement :12000PCS/WEEK

Délai de livraison :2-3days

Détails de empaquetage :3000PCS/REEL

Polarité de transistor :N-canal

Technologie :SI

Identification - courant continu de drain :30 A

Vds - tension claque de Drain-source :20 V

Température de fonctionnement minimum :- 55 C

Température de fonctionnement maximum :+ 150 C

Taille :1 millimètre

Longueur :2,9 millimètres

LARGEUR :1,3 millimètres

Palladium - dissipation de puissance :200mW

Vgs - tension de Porte-source :6,5 V

Quantité de paquet d'usine :3000

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Triode de transistor MOSFET de N-canal de silicium de transistors de transistor MOSFET de FB 999 E6327 rf

triode de transistor MOSFET du N-canal 1.Silicon

Pour les étapes à haute fréquence jusqu'à 300 mégahertz de préférence dans des applications de FM
• (RoHS conforme) package1 sans Pb)

2.Why nous choisissent ?

100% nouveau et originao avec le prix d'avantage
Rendement élevé
La livraison rapide
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10 ans éprouvent les composants électroniques
Agent de composants électroniques
Remise logistique d'avantage
Excellent service après-vente

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