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1.Caractéristiques
100% testé contre les avalanches
Faible capacité d'entrée et charge de grille
Faible résistance d'entrée de grille
2.Description
Ces MOSFET de puissance à canal N sont développés à l'aide de la technologie MDmesh révolutionnaire de STMicroelectronics, qui associe le processus de drains multiples à la disposition horizontale PowerMESH de la société.Ces dispositifs offrent une résistance à l'état passant extrêmement faible, un dv/dt élevé et d'excellentes caractéristiques d'avalanche.Utilisant la technique de bande propriétaire de ST, ces MOSFET de puissance offrent une performance dynamique globale supérieure aux produits similaires sur le marché
3.Applications
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