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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

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China Transistors 1200V DC-1 kilohertz (DST) IGBT AUTOMATIQUE DISCRET d'AUIRG4PH50S Infineon IGBT wholesale

Transistors 1200V DC-1 kilohertz (DST) IGBT AUTOMATIQUE DISCRET d'AUIRG4PH50S Infineon IGBT

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Number modèle :AUIRG4PH50S

Point d'origine :Taïwan

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union

Capacité d'approvisionnement :10000pcs/week

Délai de livraison :2-3days

Détails de empaquetage :TUBE 400PCS/BOX

Catégorie de produit :Transistors d'IGBT

Technologie :SI

Montage du style :Par le trou

Configuration :Simple

Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :1,2 kV

Tension de saturation de collecteur-émetteur :1,47 V

Tension maximum d'émetteur de porte :- 20 V, + 20 V

Courant de collecteur continu à 25 C :141 A

Palladium - dissipation de puissance :543 W

Température de fonctionnement minimum :- 55 C

Température de fonctionnement maximum :+ 150 C

Taille :20,7 millimètres

Longueur :15,87 millimètres

Largeur :5,31 millimètres

quantité d'emballage d'usine :400pcs/box

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Transistors 1200V DC-1 kilohertz (DST) IGBT AUTOMATIQUE DISCRET d'AUIRG4PH50S Infineon IGBT

1.FEATURES

Norme : Optimisé pour la saturation minimum
tension et basses fréquences de fonctionnement (< 1kHz=""> • La conception de la génération 4 IGBT fournit plus serré
distribution de paramètre et rendement plus élevé
• Paquet industriellement compatible de TO-247AC
• Sans plomb
• Des véhicules à moteur qualifié *

2.BENEFITS

Le rendement le plus élevé d'offre de la génération 4 IGBT disponible

IGBT optimisés pour des états spécifiques d'application

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