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Sic plateau d'ICP
Le plateau du carbure de silicium ICP est constitué par le processus pressant isostatique et l'agglomération à température élevée. Le diamètre, l'épaisseur, le nombre et la taille externes des acupoints, de la position et de la forme de la cannelure de comprimé peuvent également être de finition selon les conditions des dessins d'étude de l'utilisateur de répondre aux exigences spécifiques de l'utilisateur.