HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

PRODUITS INDUSTRIELS CIE., LTD DE HENAN ZG

Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
5 Ans
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Pièces en céramique techniques de gaufrette de silicium pour le détecteur de circuits intégrés/dispositif de capteur

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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD
Ville:zhengzhou
Province / État:henan
Pays / Région:china
Contact:Daniel
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Pièces en céramique techniques de gaufrette de silicium pour le détecteur de circuits intégrés/dispositif de capteur

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Number modèle :Milliseconde
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :1 morceau
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :10000 morceaux par mois
Délai de livraison :3 jours ouvrables
Détails de empaquetage :Boîte en bois forte pour l'expédition globale
Application :circuits intégrés, dispositif de détecteur/capteur, fabrication de MEMS, composants optoélectronique
Diamètre :Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"/Ø 12"
Épaisseur :275 um | 775 um
Catégorie :Principal/essai/catégorie factice
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Gaufrette de silicium pour les circuits intégrés, le dispositif de détecteur/capteur, la fabrication de MEMS et les piles solaires

 

Nous sommes un fournisseur gaufrette de la CZ et du FZ de silicium et avons été la source mondiale pour de hautes gaufrettes de silicium pures et matériaux thermiques de silicium d'oxyde. La gaufrette de silicium est la matérielle le plus commun et très utilisée pour un grand choix d'entreprises high techs, y compris les circuits intégrés, le dispositif de détecteur/capteur, la fabrication de MEMS, les composants optoélectroniques, et les piles solaires. Avec des expériences abondantes de vente et de production, nous comprenons vos conditions et pouvons fournir exactement les produits de silicium que vous avez besoin avec le prix le plus de haute qualité et plus bas possible. Nous pouvons fournir les gaufrettes de silicium standard et adaptées aux besoins du client pour répondre à vos besoins uniques. La gaufrette de silicium est produite selon SEMI. Standard et emballé dans la cassette standard avec fermé sous vide dans l'environnement de chambre propre, avec un système de bon contrôle de qualité, nous sommes consacrés à fournir les produits propres et de haute qualité de gaufrette de silicium. Pour la norme et a fréquemment employé la gaufrette de silicium, nous maintient toujours un grand inventaire comprenant les gaufrettes principales et des gaufrettes d'essai pour nous assurer pouvons répondre à vos exigences en temps utile. Quant à la gaufrette de silicium non standard, c'est notre force, nous avons la capacité d'aider des clients en trouvant dur à trouver ou gaufrette de silicium impaire. Nous nous sommes spécialisés en fournissant non seulement la gaufrette de silicium nue mais également en fournissant les produits à valeur ajoutée de silicium, nous pouvons élever l'oxyde thermique (la couche SiO2) et nitrure de silicium de dépôt (couche Si3N4) sur le substrat de silicium nu dans la gamme de diamètre de 2 pouces à 12 pouces, nous sommes prêts à travailler avec vous pour vos besoins spécifiques de silicium. Veuillez nous contacter pour davantage d'information de gaufrette de silicium.

 

Gaufrette de silicium disponible

 

Gaufrette de la CZ ou du FZ

Gaufrette principale

Gaufrette intrinsèque

Gaufrette d'essai

Gaufrette fortement enduite

Haute gaufrette de résistivité

Outre de la gaufrette d'orientation d'axe

Gaufrette spéciale d'orientation

Gaufrette ultra plate

Gaufrette ultra mince

Gaufrette ultra épaisse

Les doubles côtés ont poli

Gaufrette thermique d'oxyde

Gaufrette d'Epi

Spécifications produit

 

Croissance

LA CZ/FZ

Diamètre

Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"/Ø 12"

Épaisseur

275 um | 775 um

Orientation

<100>/<111>/<110> ou d'autres

Conductivité

P - type/N - type/qualité intrinsèque

Dopant

Bore/phosphoreux/antimoine/arsenic

Résistivité

0,001 | 10000 ohm-cm

Surface

Un côté poli/deux côtés polis

TTV

<= 10 um

Arc/chaîne

<= 40 um

Catégorie

Principal/essai/catégorie factice

 Pièces en céramique techniques de gaufrette de silicium pour le détecteur de circuits intégrés/dispositif de capteur

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