HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

PRODUITS INDUSTRIELS CIE., LTD DE HENAN ZG

Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
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Les systèmes du dépôt PLD de laser pulsé pulvérisent la cible pour des systèmes de pulvérisation de magnétron de C.C rf

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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD
Ville:zhengzhou
Province / État:henan
Pays / Région:china
Contact:Daniel
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Les systèmes du dépôt PLD de laser pulsé pulvérisent la cible pour des systèmes de pulvérisation de magnétron de C.C rf

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Number modèle :Milliseconde
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :1 morceau
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :10000 morceaux par mois
Délai de livraison :3 jours ouvrables
Détails de empaquetage :Boîte en bois forte pour l'expédition globale
Application :Systèmes du dépôt de laser pulsé (PLD) et systèmes de pulvérisation de magnétron de C.C ou de rf
Diamètre :Ø 1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"
Épaisseur :3-6mm
Catégorie :Catégorie de SCIE et catégorie optique
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Pulvérisez la cible pour des systèmes du dépôt de laser pulsé (PLD) et des systèmes de pulvérisation de magnétron de C.C ou de rf

 

Nous fournit l'un large éventail pulvérisons la cible comprenant le métal, alliage, terre rare, monocristal, composé, et la diverse cible en céramique, telle que l'oxyde, nitrure, carbure, borure, sulfure, séléniure et tellurure pulvérisent la cible. Nous fournissons une ligne complète des matériaux de cible de pulvérisation appropriés pour des systèmes du dépôt de laser pulsé (PLD) et C.C ou des systèmes de pulvérisation de magnétron de rf, ces cibles peuvent être fabriqués pour adapter tous les systèmes de pulvérisation comprenant rond, rectangulaire, la S-arme à feu, le delta, et l'anneau. Pulvérisez la cible peut être fabriqué dans la forme ronde ou carrée, avec le plat arrière ou sans depands de plat arrière sur le matériel de système et de cible de pulvérisation vous avez, notre taille standard de 1" à 12" de diamètre, gamme d'épaisseur de 1 millimètre, 3 millimètres à 6 millimètres, dans la construction simple ou de multiple-morceau. En outre, nous pouvons offrir des caractéristiques faites sur commande conçues à votre inclusion unique des besoins, dimension, épaisseur, pureté, densité, grosseur du grain uniforme, taux de composition, et plat arrière différent. Nous avons divers pour pulvériser des cibles dans la machine d'actions et de boîte selon vos spécifications avec la bonne qualité. Contactez-nous pour plus d'information.

Méthode de fabrication Champ d'application
Pressing chaud de vide Semi-conducteur
Pressing isostatique chaud Stockage de données
Pressing isostatique froid Optoélectronique
Nettoyez à l'aspirateur l'agglomération Écran plat
Fusion à l'arc de vide Pile solaire

 

Spécifications produit

 

Pureté 99,9%/99,99%/99,999%
Diamètre Ø 1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"
Épaisseur 3 millimètres | 6 millimètres
Plat arrière Cuivre d'OFHC
Liaison Époxyde de l'indium/AG
Paquet Fermé sous vide

1. Le borure pulvérisent la cible

CrB, fév., HfB2, LaB6, MgB2, Mo2B5, NbB, SmB6, étiquette, TiB2, WB, VB, VB2, ZrB2

 

2. Le carbure pulvérisent la cible

B4C, Cr3C2, HfC, Mo2C, NBC, sic, TaC, tic, TiCN, VC, carte de travail, VC, ZrC

 

3. Le fluorure pulvérisent la cible

BaF2, CaF2, CeF3, FeF2, KF, LaF3, PbF2, MgF2, Naf

 

4. La nitrure pulvérisent la cible

AlN, MILLIARD, CrN, GaN, HfN, auberge, NbN, NbCrN, Si3N4, Tan, étain, navigation verticale, ZnN, ZRN, ZrCN

 

5. L'oxyde pulvérisent la cible

Al2O3, l'ATO, azo, BaTiO3, BSCCO, déclaration provisoire, CeO2, CuO, Cr2O3, Fe2O3, HfO2, In2O3, ITO, IZO, IZGO, IZTO, LaAl2O3, LaSrMnO3, LiNbO3, MgO, MoO3, NIO, Nb2O5, PbTiO3, PZT, Sb2O3, SiO, SiO2, SnO2, SrRuO3, SrTiO3, Ta2O5, TiO2, SnO2, V2O5, WO3, Y2O3, Yb2O3, YBCO, YSZ, ZnO, ZAO, ZGO, ZIO, ZTO

 

6. Le séléniure pulvérisent la cible

Al2Se3, Bi2Se3, CdSe, CUSE, Cu2Se, FeSe2, GeSe, In2Se3, MoSe2, MnSe, NbSe2, PbSe, Sb2Se3, SnSe, TaSe2, WSe2, ZnSe

 

7. Le siliciure pulvérisent la cible

CoSi2, CrSi2, FeSi2, HfSi2, MoSi2, NbSi2, NiSi2, TaSi2, TiSi2, WSi2, VSi2, ZrSi2

 

8. Le sulfure pulvérisent la cible

Cd, puisque, Cu2S, FeS2, gaz, GeS, In2S3, PbS, MoS2, NIS, TiS2, Sb2S3, SnS, WS2, ZnS

 

9. Le tellurure pulvérisent la cible

Al2Te3, Bi2Te3, CdTe, mignon, porte, Ga2Te3, GeTe, PbTe, MnTe, MoTe2, NbTe2, TaTe2, SbTe, SnTe, WTe2, ZnTe
 

 

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