Baoji Hengtong Electronics Co., LTD
Baoji Hengtong Electronics Co., LTD. Il est également responsable de la production de l'électronique. fabricant du capteur de pression et du transmetteur de pression
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HT-IQT-B PiezoresistantD'autres produitsCapteur de pression
Introduction du capteur de pression en silicium diffusé à haute température:
HT-IQT-B est un capteur de pression en silicium à diffusion à haute température, capteur de pression à pince utilisant une technologie de remplissage à l'huile de silicone jetable.obstruction par des adhésifs et des produits non hygiéniques. Avec une structure de dissipateur de chaleur, adaptée à la mesure des milieux à haute température. Largement utilisé dans l'industrie alimentaire, pharmaceutique, du vin et d'autres industries de la santé et le milieu de mesure peut être contaminé.
Les produits de construction et de taille spéciales peuvent être personnalisés. Nous avons une ligne de production par lots mature, peut terminer la tâche de production à temps et de qualité.
| Paramètres de performanced'un détecteur de pression en silicium diffusé à haute température: | |||||
| Plage de mesure | Épaisseur (G) | 35KPa, 100KPa, 200KPa, 350KPa, 1000KPa et 2000Kpa | |||
| Absolute (A) | Les émissions de gaz à effet de serre sont calculées en fonction de la fréquence d'émission. | ||||
| Sélectionné | Pour les appareils à combustion | ||||
| Le type | Je suis désolé. | Unité | |||
| Non-linéarité | ± 0.15 | ± 0.3 | % F.S. | ||
| Répétabilité | 0.05 | 0.1 | % F.S. | ||
| Hystérésis | 0.05 | 0.1 | % F.S. | ||
| Débit de compensation nul | 0 ± 1 | 0 ± 2 | MV | ||
| Produit à grande échelle | ≤ 20 KPa | 50 ± 10 | 50 ± 30 | MV | |
| ≥ 35 kPa | 100 ± 10 | 100 ± 30 | MV | ||
| Température de décalage zéro. | ≤ 20 KPa | ± 1 | ±2 | % F.S. | |
| ≥ 35 kPa | ± 0.5 | ± 1 | % F.S. | ||
| Température à pleine échelle. | ≤ 20 KPa | ± 1 | ±2 | % F.S. | |
| ≥ 35 kPa | ± 0.5 | ± 1 | % F.S. | ||
| Temps compensé. | ≤ 20 KPa | 0 à 50 | oC | ||
| ≥ 35 kPa | 0 à 70 | oC | |||
| Température de fonctionnement | - 20 à 80 | oC | |||
| Température de stockage | -40 à 125 | oC | |||
| Surcharge admissible | Prenez la plus petite valeur entre 3 fois l'échelle complète ou 120MPa | ||||
| Pression de rupture | 5 fois la taille totale | ||||
| Stabilité à long terme | 0.2 % | F.S./année | |||
| Matériau du diaphragme | autres | ||||
| Résistance à l'isolation | Pour les appareils à courant alternatif | ||||
| Vibration | Aucun changement dans des conditions de 10gRMS, de 20 Hz à 2000 Hz | ||||
| Le choc | 100 g, 11 ms | ||||
| Temps de réponse | ≤ 1 ms | ||||
| Sceau de l'anneau O | Déchets d'acier ou d'acier | ||||
| Remplissage du milieu | Huile de silicium | ||||
| Le poids | - 220 g | ||||
| Les paramètres sont testés dans les conditions suivantes: 1,5 mA @ 25°C | |||||
| Construction du schéma | |
| Dimension |
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| Connexion électrique et compensation |
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| Exemples de sélection |
| société |
| Le FQA |