Modules IGBT automobiles A2U12M12W2-F2 Module d'alimentation MOSFET de puissance 1200V SiC à topologie à 3 niveaux
Description de A2U12M12W2-F2
A2U12M12W2-F2 est un module de puissance représentant une branche d'une topologie d'onduleur à 3 niveaux de type T qui intègre la technologie avancée MOSFET de puissance au carbure de silicium.Ce module A2U12M12W2-F2 tire parti des propriétés innovantes du matériau SiC à large bande interdite et d'un substrat à haute performance thermique.Le résultat est une résistance à l'état passant exceptionnellement faible par unité de surface et d'excellentes performances de commutation qui sont pratiquement indépendantes de la température.
Attributs du produit de A2U12M12W2-F2
Modules en carbure de silicium IGBT
Pont complet
SiC
1200V
-10 V à 22 V
Appuyez sur Fit
- 40 C
+ 150 C
Toutes les fonctionnalités de A2U12M12W2-F2 Topologie à 3 niveaux Module de puissance ACEPACK 2 13 mΩ de RDS typique (on) chaque commutateur Tension d'isolation certifiée UL de 2,5 kVrms Capteur de température NTC intégré DBC à base de Cu-Al2O3-Cu Broches de contact à ajustement serré
Topologie électrique et description des broches de A2U12M12W2-F2
FAQ
Q. Vos produits sont-ils originaux ?
A: oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.
Q : Quels certificats possédez-vous ?
A:Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001:2015 et membre d'ERAI.
Q : Pouvez-vous prendre en charge une commande ou un échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il gratuit ?
A:Oui, nous soutenons la commande d'échantillon et la commande. Le coût de l'échantillon est différent selon votre commande ou votre projet.
Q : Comment expédier ma commande ?Est-ce sûr?
A: nous utilisons express pour expédier, tels que DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Nous pouvons également utiliser votre transitaire suggéré. Les produits seront dans un bon emballage et assureront la sécurité et nous sommes responsables des dommages causés à votre commande.
