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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Mingjiada.

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Accueil / produits / Integrated Circuit Chip / Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium /

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Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium
Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650 V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium
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Dispositif de puissance de fossé du transistor MOSFET IMZA65R072M1H 650V CoolSiC M1SiC de carbure de silicium Description de produit d'IMZA65R072M1H ...
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