ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Mingjiada.
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Transistor MOSFET des véhicules à moteur des modules 1200V CoolSiC des modules FF8MR12W2M1PB11BPSA1 IGBT d'IGBT
Description de produit de FF8MR12W2M1PB11BPSA1
FF8MR12W2M1PB11BPSA1 est le demi pont 1200V, module de transistor MOSFET de ™ de 8m Ω CoolSiC, combiné avec le capteur de température de NTC, technologie transformatrice de rabattement, et a pré enduit les matériaux thermiques d'interface.
Spécifications de FF8MR12W2M1PB11BPSA1
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Numéro de la pièce
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FF8MR12W2M1PB11BPSA1
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Description
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MODULE D'IGBT PUISSANCE FACILE
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Catégorie
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Modules d'IGBT
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Numéro de la pièce
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Module
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Type
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Module de transistor MOSFET de carbure de silicium
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Caractéristiques des modules des véhicules à moteur d'IGBT
D'autres composants électroniques en stock
| Numéro de la pièce | Paquet |
| SAA6581T | CONCESSION |
| HCNW2601 | CONCESSION |
| PS9687L2-V-E3 | CONCESSION |
| QM120DX-H | MODULE |
| MG15G1AL3 | MODULE |
| IRKT26-06 | MODULE |
FAQ
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