Transistors discrets de semi-conducteur de transistors MOSFET de la puce IMBF170R650M1 de circuit intégré
Description de produit d'IMBF170R650M1
IMBF170R650M1 le N-canal, transistors MOSFET d'amélioration-mode comportent également extrêmement - un bas 22.7nC à la charge de récupération de l'inverse 23.0nC.
Spécifications d'IMBF170R650M1
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Numéro de la pièce :
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IMBF170R650M1
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VGS :
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-5 - 23 V
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Courant de fuite de Porte-source :
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Na 100
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Courant zéro de drain de tension de porte :
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µA 150
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Résistance de porte :
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Ω 6,0
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Drain ouvert :
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1MHz
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Caractéristiques d'IMBF170R650M1
D'autres types de produit d'approvisionnement
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Numéro de la pièce
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Paquet
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MSC080SMA120
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TO-247
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MSC015SMA070
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TO-247
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MSC035SMA070
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TO-247
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MSC090SMA070
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TO-247-3
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MSC750SMA170
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TO-247-3
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MSC017SMA120
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TO-247
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FAQ
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