Puce de circuit intégré de Chips High Speed CMOS FBGA24 de la mémoire S80KS5123GABHV020

Puce à grande vitesse de circuit intégré des puces de mémoire de CMOS S80KS5123GABHV020 FBGA24

Description de produit de S80KS5123GABHV020

S80KS5123GABHV020 est 512MBit 1,8 V HYPERRAM™ auto-régénère RAM dynamique (DRACHME) avec l'interface octale de xSPI, industrielle (105°C) GEN 2,0 de xSPI HYPERRAM (octal) dans 24-FBGA.

Spécifications de S80KS5123GABHV020

Caractéristiques de S80KS5123GABHV020

• Technologie : 25 DRACHMES de nanomètre
• L'entrée pendant écrivent des transactions écrivent aussi masque de données
• Le flux de données jusqu'à 400 MBps (3 200 Mbps)
• Modes de puissance : Mode de sommeil hybride, mise hors tension profonde

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FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.