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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Mingjiada.

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Accueil / produits / Integrated Circuit Chip / Type extérieur 100V 90A de bâti de transistor MOSFET de puissance de N-canal du transistor IPD068N10N3GATMA1 /

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Type extérieur 100V 90A de bâti de transistor MOSFET de puissance de N-canal du transistor IPD068N10N3GATMA1
Type extérieur 100V 90A de bâti de transistor MOSFET de puissance de N-canal du transistor IPD068N10N3GATMA1
  • Type extérieur 100V 90A de bâti de transistor MOSFET de puissance de N-canal du transistor IPD068N10N3GATMA1
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Type extérieur 100V 90A de bâti de transistor MOSFET de puissance de N-canal du transistor IPD068N10N3GATMA1 Description de produit d'IPD068N10N3GATMA...
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Rj 11 panneau de patch segment commun à anode 7 Anode commune à 7 segments

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