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Unité de microcontrôleur de MCU

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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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IR2111 IC GATE DRVR DEMI-PONT 8DIP Infineon Technologies

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Number modèle :IR2111

Quantité d'ordre minimum :1

Conditions de paiement :T/T

Capacité d'approvisionnement :en stock

Délai de livraison :3-5 jours de travail

Détails de empaquetage :boîte antistatique en sac et en carton

Configuration conduite :Moitié-pont

Type de la Manche :Synchrone

Nombre de conducteurs :2

Type de porte :IGBT, transistor MOSFET de N-canal

Tension - approvisionnement :10V | 20V

Tension de logique - VIL, VIH :8.3V, 12.6V

Actuel - production maximale (source, évier) :250mA, 500mA

Type d'entrée :Non-inverser

Tension latérale élevée - maximum (amorce) :600 V

Temps de hausse/automne (type) :80ns, 40ns

Température de fonctionnement :-40°C | 150°C (TJ)

Montage du type :Par le trou

Paquet/cas :8-DIP (0,300", 7.62mm)

Paquet de dispositif de fournisseur :8-PDIP

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PORTE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP Infineon Technologies d'IR2111 IC

Détails de produit

Description

L'IR2111 est un transistor MOSFET à haute tension et à grande vitesse de puissance et le conducteur d'IGBT avec le côté dépendant de ciel et terre a mis en référence des canaux de sortie conçus pour de demi applications de pont. HVIC de propriété industrielle et verrouiller des technologies immunisées de CMOS permettent la construction monolithique robuste. L'entrée de logique est compatible avec les sorties standard de CMOS. Les conducteurs de sortie comportent une étape de tampon actuelle d'impulsion élevée conçue pour la croix-conduction minimum de conducteur. Le deadtime interne est fourni pour éviter pousse-à travers dans le moitié-pont de sortie. Le canal de flottement peut être utilisé pour conduire un transistor MOSFET ou un IGBT de puissance de N-canal dans la configuration latérale élevée qui actionne jusqu'à 600 volts.

Caractéristiques

• Canal de flottement conçu pour l'opération d'amorce
Complètement opérationnel à +600V
Tolérant à la tension passagère négative
dV/dt immunisé
• Gamme d'approvisionnement d'entraînement de porte de 10 à 20V
• Lock-out de sousvoltage pour les deux canaux
• Le CMOS Schmitt-a déclenché des entrées avec déroulant
• Retard de propagation assorti pour les deux canaux
• Deadtime intérieurement réglé
• Sortie latérale élevée dans la phase avec l'entrée
• SANS PLOMB en outre disponible

Caractéristiques

Attribut	Valeur d'attribut
Fabricant	Infineon
Catégorie de produit	Conducteurs de porte
Série	-
Type	Moitié-pont
Emballage	Tube
Paquet-cas	Par le trou
L'Actionner-température	80ns, 40ns
De type support	-40°C \| 150°C (TJ)
Fournisseur-Dispositif-paquet	8-DIP (0,300", 7.62mm)
Résolution-peu	2
Donnée-interface	Synchrone
Tension-Approvisionnement-analogue	Non-inverser
Tension-Approvisionnement-numérique	600V
Nombre-de-CDA-DACs
Sigma-delta	10 V \| 20 V
S-n-rapport-CDA-DACs-DB-Typ	8.3V, 12.6V
Dynamique-Gamme-CDA-DACs-DB-Typ	250mA, 500mA

Descriptions

Conducteur IC Non-Inverting 8-DIP de porte de Moitié-pont

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