Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Puce de mémoire instantanée de bâti extérieur 64Kbit, EEPROM instantané d'IC ​​de CAT28C64BG-12T

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Ville:shenzhen
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Puce de mémoire instantanée de bâti extérieur 64Kbit, EEPROM instantané d'IC ​​de CAT28C64BG-12T

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Number modèle :CAT28C64BG-12T
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :en stock
Délai de livraison :3-5 jours de travail
Détails de empaquetage :boîte antistatique en sac et en carton
Type de mémoire :Non-volatile
Format de mémoire :EEPROM
Technologie :EEPROM
Capacité de la mémoire :64Kbit
Organisation de mémoire :8K X 8
Interface de mémoire :Parallèle
Fréquence du signal d'horloge :-
Écrivez la durée de cycle - Word, page :5ms
Temps d'accès :120 NS
Tension - approvisionnement :4.5V | 5.5V
Température de fonctionnement :0°C | 70°C (VENTRES)
Montage du type :Bâti extérieur
Paquet/cas :32-LCC (J-avance)
Paquet de dispositif de fournisseur :32-PLCC (11.43x13.97)
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CAT28C64BG-12T IC EEPROM 64KBIT PARALLÈLE 32PLCC onsemi

détails du produit

DESCRIPTION

Le CAT28C64B est une EEPROM parallèle CMOS rapide, basse consommation, 5 V uniquement, organisée en 8K x 8 bits.Il nécessite une interface simple pour la programmation dans le système.Les verrous d'adresse et de données sur puce, le cycle d'écriture auto-temporisé avec effacement automatique et la protection d'écriture de mise sous/hors tension VCC éliminent le matériel de synchronisation et de protection supplémentaire.Les bits d'état DATA Polling et Toggle signalent le début et la fin du cycle d'écriture auto-temporisé.De plus, le CAT28C64B dispose d'une protection matérielle et logicielle en écriture.
Le CAT28C64B est fabriqué à l'aide de la technologie avancée de grille flottante CMOS de Catalyst.Il est conçu pour supporter 100 000 cycles de programmation/effacement et a une durée de conservation des données de 100 ans.L'appareil est disponible en boîtier DIP 28 broches, TSOP, SOIC ou PLCC 32 broches approuvé par JEDEC .

CARACTÉRISTIQUES

■ Temps d'accès en lecture rapide :
– 90/120/150ns
■ Dissipation CMOS basse consommation :
– Actif : 25 mA max.
– Veille : 100 µA max.
■ Opération d'écriture simple :
- Adresse sur puce et verrous de données
- Cycle d'écriture auto-chronométré avec effacement automatique
■ Temps de cycle d'écriture rapide :
– 5 ms maxi.
■ E/S compatibles CMOS et TTL
■ Protection matérielle et logicielle en écriture
■ Commercial, industriel et automobile
plages de température
■ Opération d'écriture de page automatique :
– 1 à 32 octets en 5ms
– Minuterie de chargement de page
■ Détection de fin d'écriture :
– Basculer le bit
– Interrogation de DONNÉES
■ 100 000 cycles de programmation/effacement
■ 100 ans de conservation des données

Caractéristiques

Attribut Valeur d'attribut
Fabricant onsemi
catégorie de produit CI de mémoire
Série -
Emballage Bande et bobine (TR)
Paquet-Cas 32-LCC (dérivation J)
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Parallèle
Alimentation en tension 4,5 V ~ 5,5 V
Fournisseur-Dispositif-Package 32-PLCC (11.43x13.97)
Capacité mémoire 64K (8K x 8)
Type de mémoire EEPROM
Vitesse 120ns
Format-Mémoire EEPROM - Parallèle

Descriptions

Mémoire EEPROM IC 64Kb (8K x 8) Parallèle 120ns 32-PLCC (11.43x13.97)
EEPROM Parallèle 64K-bit 8K x 8 5V 32-Pin PLCC T/R
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