Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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CY7C1313KV18-250BZXI IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA Pour les technologies Infineon

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CY7C1313KV18-250BZXI IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA Pour les technologies Infineon

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Numéro de modèle :Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
Quantité minimale de commande :1
Conditions de paiement :T/T
Capacité à fournir :En stock
Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :Volatil
Format de mémoire :SRAM
Technologie :Le système de surveillance de l'équipement est équipé d'un système de surveillance de l'équipement.
Capacité de la mémoire :18Mbit
Organisation de mémoire :1M x 18
Interface de mémoire :Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :250 MHz
Écrivez la durée de cycle - Word, page :-
Temps d'accès :-
Voltage - alimentation :1.7V à 1.9V
Température de fonctionnement :-40°C à 85°C (TA)
Type de montage :Monture de surface
Emballage / boîtier :165-LBGA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :165-FBGA (13x15)
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Détails du produit

Description fonctionnelle

Les SRAMs CY7C1311KV18, CY7C1911KV18, CY7C1313KV18 et CY7C1315KV18 sont des SRAMs à conduite synchrone de 1,8 V, équipées d'une architecture QDR II.le port de lecture et le port d'écriture pour accéder au tableau de mémoireLe port de lecture a des sorties de données dédiées pour supporter les opérations de lecture et le port d'écriture a des entrées de données dédiées pour supporter les opérations d'écriture.L'architecture QDR II dispose d'entrées et de sorties de données séparées pour éliminer complètement la nécessité de "tourner autour" du bus de données qui existe avec les périphériques d'E/S communs.

Caractéristiques

■ Ports de lecture et d'écriture indépendants
¢ Prend en charge les opérations simultanées
■ Horloge 333 MHz pour une large bande passante
■ Une explosion de quatre mots pour réduire la fréquence du bus d'adresse
■ Interfaces à double débit de données (DDR) sur les ports de lecture et d'écriture (transfert de données à 666 MHz à 333 MHz)
■ Deux horloges d'entrée (K et K) pour une synchronisation précise du DDR
Le SRAM utilise uniquement des bords montants
■ Deux horloges d'entrée pour les données de sortie (C et C) pour minimiser les écarts d'horloge et de temps de vol
■ Les horloges à écho (CQ et CQ) simplifient la collecte de données dans les systèmes à grande vitesse
■ Bus d'entrée d'adresse multiplexé unique verrouillage d'adresses pour les ports de lecture et d'écriture
■ Sélection de port séparé pour l'expansion de la profondeur
■ Écriture synchrone en interne
■ QDR® II fonctionne avec une latence de lecture de 1,5 cycle lorsque DOFF est affiché HIGH
■ Fonctionne comme un dispositif QDR I avec une latence de lecture d'un cycle lorsque DOFF est affiché LOW
■ Disponible en configurations ×8, ×9, ×18 et ×36
■ une cohérence complète des données, fournissant les données les plus récentes;
■ VDD de base = 1,8 V (±0,1 V); VDDQ d'entrée/sortie = 1,4 V à VDD
Supporte à la fois une alimentation I/O de 1,5 V et de 1,8 V
■ Disponible dans un emballage FBGA à 165 boules (13 × 15 × 1,4 mm)
■ Offert dans des emballages sans Pb et non sans Pb
■ Les tampons de sortie HSTL à entraînement variable
■ Port d'accès à l'essai compatible avec JTAG 1149.1
■ PLL pour le placement précis des données

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Cypress Semiconductor
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Le type Synchrone
Emballage Plateau
Mode de montage DSM/SMT
Boîtier de colis 165-LBGA
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 10,7 V à 1,9 V
Produit fourni par le fournisseur Le nombre de pièces de rechange doit être le même que le nombre de pièces de rechange.
Capacité de mémoire 18M (1M x 18)
Type de mémoire Le système de surveillance de l'équipement est équipé d'un système de surveillance de l'équipement.
Vitesse 250 MHz
Temps d'accès 0.45 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 85 C
Plage de température de fonctionnement - Quarante degrés.
Type d'interface Parallèlement
Organisation du projet 1 M x 18
Le courant d'approvisionnement maximal 440 mA
Voltage d'alimentation maximal 1.9 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 1.7 V
Boîtier de colis Le numéro de série
Fréquence d'horloge maximale 250 MHz
Composant fonctionnel compatibleForme,emballage,composant compatible fonctionnel
Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
Les données de l'échantillon sont fournies par les autorités compétentes.
La mémoire
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon. Cypress Semiconductor Les données sont fournies par les autorités compétentes.
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
La mémoire
La RAM QDR SRAM, 1MX18, 0,45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 est utilisée par les utilisateurs de la plateforme. Cypress Semiconductor Les données sont fournies par les autorités compétentes.
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
La mémoire
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon. Cypress Semiconductor Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées.

Décrits

SRAM - mémoire IC QDR II synchrone de 18 Mb (1M x 18) parallèle à 250 MHz 165-FBGA (13x15)
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns plateau FBGA à 165 broches
SRAM 18Mb 250Mhz 1,8V 1M x 18 QDR II SRAM
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