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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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CY7C1041G30-10ZSXE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Les technologies Infineon ont été développées par des spécialistes de l'informatique.

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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited
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Pays / Région:china
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CY7C1041G30-10ZSXE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Les technologies Infineon ont été développées par des spécialistes de l'informatique.
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Numéro de modèle :CY7C1041G30-10ZSXE
Quantité minimale de commande :1
Conditions de paiement :T/T
Capacité à fournir :En stock
Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :Volatil
Format de mémoire :SRAM
Technologie :SRAM - Asynchrone
Capacité de la mémoire :4Mbit
Organisation de mémoire :256K x 16
Interface de mémoire :Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :-
Écrivez la durée de cycle - Word, page :10ns
Temps d'accès :10 ns
Voltage - alimentation :2.2V | 3.6V
Température de fonctionnement :-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage :Monture de surface
Emballage / boîtier :44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :44-TSOP II
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Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Cypress Semiconductor
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Produit de fabrication Cypress Semiconductor
Catégorie de produits SRAM
RoHS Détails
Emballage Plateau
Marque Cypress Semiconductor

Décrits

SRAM - mémoire asynchrone IC de 4 Mb (256 K x 16) parallèle 10ns 44-TSOP II
RAM statique de 4 Mbit avec code de correction d'erreur
SRAM
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