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L'intervalle de tension est compris entre 1000 et 1800 volts, le courant est de 1,0 ampère.
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Cypress Semiconductor |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | F-RAMTM |
| Emballage | Tuyaux |
| Plage de température de fonctionnement | - 40 ° C à + 85 ° C |
| Boîtier de colis | Pour les appareils de traitement des eaux usées |
| Température de fonctionnement | -40°C à 85°C (TA) |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 20,7 V à 5,5 V |
| Produit fourni par le fournisseur | 28-PDIP |
| Capacité de mémoire | 256K (32K x 8) |
| Type de mémoire | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Vitesse | 70 ans |
| Format-mémoire | La RAM |
| Voltage d'alimentation de fonctionnement | 3 V à 5 V |
| Type d'interface | Parallèlement |
| Organisation du projet | 32 k x 8 |