Catégories de produits

Unité de microcontrôleur de MCU

[523]

IC par acquisition de données

[7]

Contacter

Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Visitez le site Web

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MissZhao

Coordonnées du contact

Contacter

China CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Les technologies Infineon ont été développées par des spécialistes de la technologie wholesale

CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Les technologies Infineon ont été développées par des spécialistes de la technologie

Demander le dernier prix

Numéro de modèle :CY62146EV30LL-45ZSXI

Quantité minimale de commande :1

Conditions de paiement :T/T

Capacité à fournir :En stock

Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables

Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton

Type de mémoire :Volatil

Format de mémoire :SRAM

Technologie :SRAM - Asynchrone

Capacité de la mémoire :4Mbit

Organisation de mémoire :256K x 16

Interface de mémoire :Parallèlement

Fréquence du signal d'horloge :-

Écrivez la durée de cycle - Word, page :45ns

Temps d'accès :45 NS

Voltage - alimentation :2.2V | 3.6V

Température de fonctionnement :-40°C à 85°C (TA)

Type de montage :Monture de surface

Emballage / boîtier :44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :44-TSOP II

Contacter

Add to Cart

Voir la description du produit

Détails du produit

Description fonctionnelle

Le CY62146EV30 est une mémoire vive statique CMOS haute performance organisée en 256K mots par 16 bits.Le courant actif ultra-faible est idéal pour fournir plus de durée de vie de la batterieTM (MoBL®) dans des applications portables telles que les téléphones cellulairesL'appareil dispose également d'une fonction d'arrêt automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie de 80 pour cent lorsque les adresses ne sont pas basculantes.

Caractéristiques

■ Vitesse très élevée: 45 ns
■ Plage de température
Pour l'industrie: de 40°C à +85°C
¥ Automobile-A: ¥ 40°C à + 85°C
■ Large plage de tension: 2,20 V à 3,60 V
■ épingle compatible avec CY62146DV30
■ Puissance en veille ultra-faible
¢ courant de veille typique: 1 μA
¢ courant de veille maximal: 7 μA
■ Puissance active extrêmement faible
¢ courant actif typique: 2 mA à f = 1 MHz
■ Extension facile de la mémoire avec des fonctionnalités CE et OE
■ Éteindre automatiquement lorsque la fonction est désactivée
■ CMOS pour une vitesse et une puissance optimales
■ Disponible dans un VFBGA à 48 boules et un TSOP II à 44 broches sans Pb

Les spécifications

Attribut	Valeur attribuée
Produit de fabrication	Cypress Semiconductor
Catégorie de produits	Circuits intégrés mémoire
Série	MoBL®
Le type	Asynchrone
Emballage	Emballage de remplacement de plateau
Mode de montage	DSM/SMT
Nom commercial	MoBL
Boîtier de colis	44-TSOP (0,400", largeur de 10,16 mm)
Température de fonctionnement	-40°C à 85°C (TA)
Interface	Parallèlement
Appareil de régulation de la tension	2.2 V ~ 3.6 V
Produit fourni par le fournisseur	44-TSOP II
Capacité de mémoire	4M (256K x 16)
Type de mémoire	SRAM - Asynchrone
Vitesse	45 ans
Taux de données	Les DTS
Temps d'accès	45 ns
Format-mémoire	La RAM
Température de fonctionnement maximale	+ 85 C
Plage de température de fonctionnement	- Quarante degrés.
Type d'interface	Parallèlement
Organisation du projet	256 k x 16
Le courant d'approvisionnement maximal	20 mA
Voltage d'alimentation maximal	3.6 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003.	2.2 V
Boîtier de colis	Le TSOP-44

Composant fonctionnel compatible

Forme,emballage,composant compatible fonctionnel

Partie du fabricant	Définition	Produit de fabrication	Comparer
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. La mémoire	La mémoire SRAM standard, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 est utilisée pour les systèmes de stockage de données.	Cypress Semiconductor	Le nombre total d'équipements utilisés par les autorités compétentes pour la production de l'électricité est fixé par la Commission au niveau de l'Union.
Le nombre d'unités utilisées est déterminé en fonction de l'indicateur de puissance. La mémoire	La RAM SRAM standard, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, sans plomb, TSOP2-44 est utilisée pour les systèmes de stockage de données.	Cypress Semiconductor	Le nombre d'unités de production est calculé en fonction du nombre d'unités de production.
Le nombre d'unités utilisées est déterminé en fonction de l'indicateur. La mémoire	La RAM SRAM standard, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, sans plomb, TSOP2-44 est utilisée pour les systèmes de stockage de données.	Cypress Semiconductor	Le nombre d'unités de production est calculé en fonction du nombre total d'unités de production.
Le nombre d'équipements à transporter est déterminé par le système de mesure. La mémoire	La RAM SRAM standard, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, sans plomb, TSOP2-44 est utilisée pour les systèmes de stockage de données.	Cypress Semiconductor	Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la période de travail.

Décrits

SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 45ns plateau TSOP-II à 44 broches

SRAM 4 Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM

Inquiry Cart 0