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Unité de microcontrôleur de MCU

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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Intégré

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Numéro de modèle :DS1225AD-200+

Quantité minimale de commande :1

Conditions de paiement :T/T

Capacité à fournir :En stock

Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables

Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton

Type de mémoire :Non-volatile

Format de mémoire :NVSRAM

Technologie :NVSRAM (SRAM non-volatile)

Capacité de la mémoire :64Kbit

Organisation de mémoire :8K X 8

Interface de mémoire :Parallèlement

Fréquence du signal d'horloge :-

Écrivez la durée de cycle - Word, page :200ns

Temps d'accès :200 NS

Voltage - alimentation :4.5V à 5.5V

Température de fonctionnement :Pour les appareils de traitement des eaux usées:

Type de montage :À travers le trou

Emballage / boîtier :Module à 28 DIP (0,600" et 15,24 mm)

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :28-EDIP

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Détails du produit

Définition

Les DS1225AB et DS1225AD sont des SRAMs entièrement statiques et non volatils de 65 536 bits organisés en 8 192 mots par 8 bits.Chaque SRAM NV est dotée d'une source d'énergie lithium autonome et d'un circuit de commande qui surveille constamment le VCC pour une condition hors tolérance..

Caractéristiques

10 ans de conservation minimale des données en l'absence d'alimentation externe
Les données sont automatiquement protégées en cas de panne de courant
Remplace directement la RAM statique volatile 8k x 8 ou EEPROM
Cycles d'écriture illimités
CMOS à faible consommation
Paquet DIP standard JEDEC à 28 broches
Temps d'accès à la lecture et à l'écriture jusqu'à 70 ns
La source d'énergie au lithium est déconnectée électriquement pour conserver sa fraîcheur jusqu'à ce que l'alimentation soit appliquée pour la première fois
La fréquence d'écoulement de l'appareil doit être supérieure ou égale à:
Optionnel dans une plage de fonctionnement VCC de ±5% (DS1225AB)
Plage de température industrielle facultative de -40°C à +85°C, désignée IND

Les spécifications

Attribut	Valeur attribuée
Produit de fabrication	Maxime intégré
Catégorie de produits	Circuits intégrés mémoire
Série	Le numéro de série:
Emballage	Tuyaux
Mode de montage	À travers le trou
Boîtier de colis	Module à 28 DIP (0,600" et 15,24 mm)
Température de fonctionnement	Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface	Parallèlement
Appareil de régulation de la tension	4.5 V ~ 5.5 V
Produit fourni par le fournisseur	28 - EDIP
Capacité de mémoire	64K (8K x 8)
Type de mémoire	Les appareils de surveillance de l'environnement doivent être équipés d'un système de surveillance de l'environnement.
Vitesse	200 ns
Temps d'accès	200 ns
Format-mémoire	La RAM
Température de fonctionnement maximale	+ 70 °C
Plage de température de fonctionnement	0 C
Courant d'alimentation en fonctionnement	75 mA
Type d'interface	Parallèlement
Organisation du projet	8 k x 8
Partie #-Alias	Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la pièce.
Largeur du bus de données	8 bits
Voltage d'alimentation maximal	5.5 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003.	4.5 V
Boîtier de colis	Le projet de directive

Composant fonctionnel compatible

Forme,emballage,composant compatible fonctionnel

Partie du fabricant	Définition	Produit de fabrication	Comparer
DS1225Y-200+ La mémoire	Module SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-28	Produits intégrés Maxim	DS1225AD-200+ contre DS1225Y-200+
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant: La mémoire	Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées.	Rochester Electronics LLC est une société	La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon
La valeur de l'échantillon est la valeur de l'échantillon. La mémoire	Module SRAM non volatil, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 pouces, DIP-28	Produits intégrés Maxim	La valeur de l'indicateur est la valeur de l'indicateur.
Le numéro de série La mémoire	Module SRAM non volatil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0,720 pouces, étendu, DIP-28	Dallas Semi-conducteur	Les résultats de l'enquête sont les suivants:
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: La mémoire	Module SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-28	Produits intégrés Maxim	La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon
Le montant de l'aide doit être calculé en fonction de la situation actuelle. La mémoire	Le système de traitement de l'information doit être conforme aux exigences du présent règlement.	Les instruments du Texas	DS1225AD-200+ contre BQ4010MA-200
BQ4010YMA-200 La mémoire	Les données de base sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées.	Les instruments du Texas	DS1225AD-200+ contre BQ4010YMA-200
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à: La mémoire	Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées.	Rochester Electronics LLC est une société	Les résultats de l'analyse sont les suivants:
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à: La mémoire	Module SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-28	Produits intégrés Maxim	Les résultats de l'analyse sont les suivants:
Le nombre d'étoiles est déterminé par la méthode suivante: La mémoire	Module SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-28	Produits intégrés Maxim	La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon

Décrits

NVSRAM (SRAM non volatile) mémoire IC 64Kb (8K x 8) parallèle 200ns 28-EDIP

NVRAM 64k SRAM non volatile

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