Catégories de produits

Unité de microcontrôleur de MCU

[523]

IC par acquisition de données

[7]

Contacter

Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Visitez le site Web

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MissZhao

Coordonnées du contact

Contacter

China MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile. wholesale

MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

Demander le dernier prix

Numéro de modèle :MT47H128M16RT-25E : C TR

Quantité minimale de commande :1

Conditions de paiement :T/T

Capacité à fournir :En stock

Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables

Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton

Type de mémoire :Volatil

Format de mémoire :DRACHME

Technologie :SDRAM-DDR2

Capacité de la mémoire :2Gbit

Organisation de mémoire :128M x 16

Interface de mémoire :Parallèlement

Fréquence du signal d'horloge :400 MHz

Écrivez la durée de cycle - Word, page :15ns

Temps d'accès :400 picosecondes

Voltage - alimentation :1.7V à 1.9V

Température de fonctionnement :0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE)

Type de montage :Monture de surface

Emballage / boîtier :84-TFBGA

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :84-FBGA (9x12.5)

Contacter

Add to Cart

Voir la description du produit

Détails du produit

La mémoire SDRAM DDR2

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 banques
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 banques
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 banques

Caractéristiques

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• Émetteur/sortie de 1,8 V selon la norme JEDEC (compatible avec SSTL_18)
• Option de stroboscope différentiel de données (DQS, DQS#)
• architecture de pré-recherche 4n-bits
• Option de rétroéclairage à sortie double (RDQS) pour x8
• DLL pour aligner les transitions DQ et DQS avec CK
• 8 banques internes pour une opération simultanée
• latence CAS programmable (CL)
• La latence de l'additif CAS (AL) affichée
• RÉCITER la latence = LIRE la latence - 1 tCK
• Longueur d'éclatation sélectionnable (BL): 4 ou 8
• Puissance réglable de l'entraînement de sortie de données
• 64 ms, 8192 cycles de mise à jour
• Termination au moment de la mise au point (ODT)
• Option de température industrielle
• Option de température automobile (AT)
• Conforme à la directive RoHS
• Prend en charge les spécifications JEDEC pour le jitter d'horloge

Les spécifications

Attribut	Valeur attribuée
Produit de fabrication	Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits	Circuits intégrés mémoire
Série	-
Emballage	Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR)
Boîtier de colis	Pour l'équipement de la catégorie 84-TFBGA
Température de fonctionnement	0°C à 85°C (TC)
Interface	Parallèlement
Appareil de régulation de la tension	10,7 V à 1,9 V
Produit fourni par le fournisseur	Pour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire	2G (128M x 16)
Type de mémoire	La mémoire SDRAM DDR2
Vitesse	2.5ns
Format-mémoire	La RAM

Décrits

SDRAM - mémoire DDR2 IC 2Gb (128M x 16) parallèle 400MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5)

Inquiry Cart 0