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Unité de microcontrôleur de MCU

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IC par acquisition de données

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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MissZhao

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CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA Cypress Semi-conducteurs Corp.

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Numéro de modèle :Le code de conduite est le CYD09S36V18-200BBXI.

Quantité minimale de commande :1

Conditions de paiement :T/T

Capacité à fournir :En stock

Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables

Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton

Type de mémoire :Volatil

Format de mémoire :SRAM

Technologie :SRAM - double port, synchrone

Capacité de la mémoire :9Mbit

Organisation de mémoire :256K X 36

Interface de mémoire :Parallèlement

Fréquence du signal d'horloge :200 MHz

Écrivez la durée de cycle - Word, page :-

Temps d'accès :3,3 NS

Voltage - alimentation :1Pour les appareils à commande numérique, le réglage de la tension doit être effectué à l'aide d'un

Température de fonctionnement :-40°C à 85°C (TA)

Type de montage :Monture de surface

Emballage / boîtier :256-LBGA

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :256-FBGA (17x17)

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Détails du produit

Résistances de précision axiales au plomb

La gamme Holco de résistances à film métallique de précision répond à l'exigence de composants à prix économique pour des applications industrielles et militaires.L'installation de fabrication utilise des procédés de production étroitement contrôlés, y compris le revêtement par pulvérisation de films d'alliages métalliques sur des substrats céramiques.Un revêtement époxy est appliqué pour la protection environnementale et mécanique.Commercialement, la série est disponible en deux tailles de boîtier, de 1 ohm à 4M ohms, des tolérances de 0,05% à 1% et des TCR de 5 ppm/°C à 100 ppm/°C. Offert avec la libération à la BS CECC 40101 004, 030 et 804, le H8 est disponible par la distribution.

Principales caractéristiques

■ Ultra précision - Jusqu'à 0,05%
■ Ensembles adaptés à 2 ppm/°C
■ Résiste à l'impulsion
■ Faible réactivité
■ TCR faible - Jusqu'à 5 ppm/°C
■ Stabilité à long terme
■ Jusqu'à 1 Watt à 70 °C
■ Publié au CECC 40101 004, 030 et 804

Les spécifications

Attribut	Valeur attribuée
Produit de fabrication	Cypress Semiconductor
Catégorie de produits	Circuits intégrés mémoire
Série	Le code de conduite est le code CYD09S36V18.
Le type	Synchrone
Emballage	Plateau
Mode de montage	DSM/SMT
Boîtier de colis	256-LBGA
Température de fonctionnement	-40°C à 85°C (TA)
Interface	Parallèlement
Appareil de régulation de la tension	1Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'échantillon doit être égale ou supérieure à 0,42 V.
Produit fourni par le fournisseur	Les données de référence sont les suivantes:
Capacité de mémoire	9M (256K x 36)
Type de mémoire	SRAM - double port, synchrone
Vitesse	200 MHz
Taux de données	Les DTS
Temps d'accès	3.3 ns
Format-mémoire	La RAM
Température de fonctionnement maximale	+ 85 C
Plage de température de fonctionnement	- Quarante degrés.
Type d'interface	Parallèlement
Organisation du projet	256 k x 36
Le courant d'approvisionnement maximal	670 mA
Voltage d'alimentation maximal	1.9 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003.	1.7 V
Boîtier de colis	Le numéro de série
Fréquence d'horloge maximale	200 MHz

Décrits

SRAM - Port double, mémoire synchrone IC 9 Mb (256 K x 36) parallèle 200 MHz 3.3ns 256-FBGA (17 x 17)

SRAM Chip Sync Dual 1.8V 9M-Bit 256K x 36 9ns/5ns 256-Pin plateau FBGA

SRAM 9MB (256Kx36) SRAM synchronisée à 200MHz de 1,8 V

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