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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de la mémoire.

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China AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de la mémoire. wholesale
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AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de la mémoire.
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Numéro de modèle :Le numéro d'immatriculation du véhicule doit être le numéro de référence de l'autorité compétente.
Quantité minimale de commande :1
Conditions de paiement :T/T
Capacité à fournir :En stock
Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :Volatil
Format de mémoire :DRACHME
Technologie :SDRAM-DDR
Capacité de la mémoire :512Mbit
Organisation de mémoire :32M x 16
Interface de mémoire :Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :200 MHz
Écrivez la durée de cycle - Word, page :15ns
Temps d'accès :700 picosecondes
Voltage - alimentation :2.3V | 2.7V
Température de fonctionnement :-40°C à 85°C (TA)
Type de montage :Monture de surface
Emballage / boîtier :66-TSSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :66-TSOP II
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Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Alliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Boîtier de colis 66-TSSOP (0,400", largeur de 10,16 mm)
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.3 V ~ 2,7 V
Produit fourni par le fournisseur 66-TSOP II
Capacité de mémoire 512M (32M x 16)
Type de mémoire REM DDR SDR
Vitesse 200 MHz
Format-mémoire La RAM
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