Attribut	Valeur attribuée
Produit de fabrication	Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits	Circuits intégrés mémoire
Série	-
Emballage	Emballage de remplacement de plateau
Boîtier de colis	Pour les appareils de traitement de l'air
Température de fonctionnement	0°C à 95°C (TC)
Interface	Parallèlement
Appareil de régulation de la tension	1.283 V ~ 1.45 V
Produit fourni par le fournisseur	Pour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire	2G (256M x 8)
Type de mémoire	La mémoire SDRAM DDR3L
Vitesse	800 MHz
Format-mémoire	La RAM
Mfr	Micron Technology Inc. est une société
Le paquet	Plateau
Statut du produit	Actif
Type de mémoire	Les produits de base
Format de mémoire	DRAM
Technologie	SDRAM - DDR3L
Taille de la mémoire	2Gb (256M x 8)
Interface mémoire	Parallèlement
Fréquence d'horloge	800 MHz
Écrire-cycle-temps-mot-page	-
Temps d'accès	13,75 ns
Appareil de régulation de la tension	Pour les appareils à commande numérique
Type de montage	Monture de surface
Boîtier de colis	Pour les appareils de traitement de l'air
Numéro du produit de base	MT4A2203M2

Composant fonctionnel compatible

Forme,emballage,composant compatible fonctionnel

Partie du fabricant	Définition	Produit de fabrication	Comparer
H5TQ2G83CFR-H9C La mémoire	La carte DRAM DDR, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, sans halogène et conforme à la réglementation ROHS, FBGA-78	SK Hynix Inc.	L'utilisation de produits chimiques est interdite.
MT41K256M8DA-125IT:K La mémoire	La capacité de traitement est de 0,05 m3/s.	Micron Technology Inc. est une société	MT41K256M8DA-125:K contre MT41K256M8DA-125IT:K
Les données de l'échantillon sont fournies à l'autorité compétente. La mémoire	La carte SDR est un système de mémoire à puce, un système de mémoire à puce, un système de mémoire à puce et un système de mémoire à puce.	SK Hynix Inc.	MT41K256M8DA-125:K contre H5TQ2G83FFR-PBC
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette. La mémoire	La carte DRAM DDR, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, sans halogène et conforme à la réglementation ROHS, FBGA-78	SK Hynix Inc.	MT41K256M8DA-125:K contre H5TQ2G83CFR-PBC
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de lin. La mémoire	La carte DRAM DDR, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, sans halogène et conforme à la réglementation ROHS, FBGA-78	SK Hynix Inc.	MT41K256M8DA-125:K contre H5TC2G83CFR-PBA
MT41K256M8DA-125:M La mémoire	La RAM DDR, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, sans plomb, FBGA-78 est également disponible.	Micron Technology Inc. est une société	Les prix de vente sont calculés en fonction de la valeur de l'offre.
MT41K256M8DA-107:K La mémoire	La carte SDR est un système de mémoire à puce de type DDR, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, 1,20 MM de hauteur, sans plomb, FBGA-78.	Micron Technology Inc. est une société	MT41K256M8DA-125:K contre MT41K256M8DA-107:K
Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes: La mémoire	La carte DRAM DDR, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, sans halogène et conforme à la réglementation ROHS, FBGA-78	SK Hynix Inc.	MT41K256M8DA-125:K contre H5TQ2G83DFR-RDC
Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes: La mémoire	La carte DRAM DDR, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, sans halogène et conforme à la réglementation ROHS, FBGA-78	SK Hynix Inc.	MT41K256M8DA-125:K contre H5TQ2G83EFR-PBC
Les données relatives à l'utilisation de l'équipement doivent être fournies à l'autorité compétente. La mémoire	La carte DRAM DDR, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, sans halogène et conforme à la réglementation ROHS, FBGA-78	SK Hynix Inc.	MT41K256M8DA-125:K contre H5TQ2G83DFR-PBC

Décrits

SDRAM - mémoire IC DDR3L 2Gb (256M x 8) parallèle 800MHz 13,75ns 78-FBGA (8x10,5)

La carte SD est un fichier de type SD.

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