Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
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Les produits de la catégorie 1 peuvent être utilisés pour les produits de la catégorie 2 ou 3

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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Les produits de la catégorie 1 peuvent être utilisés pour les produits de la catégorie 2 ou 3

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Numéro de modèle :Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de lin.
Quantité minimale de commande :1
Conditions de paiement :T/T
Capacité à fournir :En stock
Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :Volatil
Format de mémoire :SRAM
Technologie :SRAM - Synchrone, DTS
Capacité de la mémoire :36Mbit
Organisation de mémoire :512K x 72
Interface de mémoire :Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :167 mégahertz
Écrivez la durée de cycle - Word, page :-
Temps d'accès :3,4 ns
Voltage - alimentation :3.135V | 3.6V
Température de fonctionnement :-40°C à 85°C (TA)
Type de montage :Monture de surface
Emballage / boîtier :209-BGA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
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Détails du produit

Description fonctionnelle

Le CY7C1460AV33/CY7C1462AV33/CY7C1464AV33 est constitué respectivement de SRAMs à décharge en tubes synchrones de 3,3 V, 1M x 36/2M x 18/512K x 72 avec logique No Bus LatencyTM (NoBLTM).Ils sont conçus pour prendre en charge des opérations de lecture/écriture régulières illimitées sans état d'attenteLes CY7C1460AV33/CY7C1462AV33/CY7C1464AV33 sont équipés de la logique avancée (NoBL) nécessaire pour permettre des opérations de lecture/écriture consécutives avec des données transférées à chaque cycle d'horloge.Cette fonctionnalité améliore considérablement le débit des données dans les systèmes qui nécessitent des transitions d'écriture / lecture fréquentesLe CY7C1460AV33/CY7C1462AV33/CY7C1464AV33 est compatible avec les broches et fonctionnellement équivalent aux appareils ZBT.

Caractéristiques

• Compatible avec les broches et fonctionnellement équivalent à ZBTTM
• Prend en charge les opérations de bus à 250 MHz avec zéro état d'attente
Les niveaux de vitesse disponibles sont de 250, 200 et 167 MHz
• Contrôle du tampon de sortie automatiquement synchronisé en interne pour éliminer la nécessité d'utiliser des OE asynchrones
• entièrement enregistré (entrées et sorties) pour l'exploitation par pipeline
• Capacité d'écriture par octet
• alimentation électrique 3,3 V
• alimentation d'entrée/sortie 3,3 V/2,5 V
• Temps d'horloge rapide à la sortie
2,6 ns (pour les appareils à 250 MHz)
• Clock Enable (CEN) pin pour suspendre le fonctionnement
• Écriture synchrone en temps réel
• CY7C1460AV33, CY7C1462AV33 disponible en anglais seulement
TQFP sans plomb à 100 broches de la norme JEDEC
un emballage FBGA à 165 boules non exempt de plomb.
disponible en FBGA à 209 boules, sans plomb et non sans plomb
le paquet
• Scan des limites compatibles avec la norme IEEE 1149.1
• Capacité de rupture  ordre de rupture linéaire ou entrelacée
• Option de mode veille et d'arrêt de l'horloge

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Cypress Semiconductor
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Plateau
Boîtier de colis 209-BGA
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3.135 V ~ 3.6 V
Produit fourni par le fournisseur Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Capacité de mémoire 36M (512K x 72)
Type de mémoire SRAM - synchrone
Vitesse 167 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

SRAM - mémoire synchrone IC de 36 Mb (512K x 72) parallèle à 167 MHz 3,4ns 209-FBGA (14x22)
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