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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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RMLV0416EGSB-4S2#HA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. est une société américaine spécialisée dans l'électronique.

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Pays / Région:china
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RMLV0416EGSB-4S2#HA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. est une société américaine spécialisée dans l'électronique.
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Numéro de modèle :RMLV0416EGSB-4S2#HA1
Quantité minimale de commande :1
Conditions de paiement :T/T
Capacité à fournir :En stock
Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :Volatil
Format de mémoire :SRAM
Technologie :SRAM
Capacité de la mémoire :4Mbit
Organisation de mémoire :256K x 16
Interface de mémoire :Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :-
Écrivez la durée de cycle - Word, page :45ns
Temps d'accès :45 NS
Voltage - alimentation :2.7V à 3.6V
Température de fonctionnement :-40°C à 85°C (TA)
Type de montage :Monture de surface
Emballage / boîtier :44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :44-TSOP II
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Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Renesas Electronics Amérique
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR)
Boîtier de colis 44-TSOP (0,400", largeur de 10,16 mm)
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.7 V ~ 3.6 V
Produit fourni par le fournisseur Les pièces de rechange doivent être équipées d'un dispositif de rechange.
Capacité de mémoire 4M (256K x 16)
Type de mémoire SRAM
Vitesse 45 ans
Format-mémoire La RAM

Décrits

Mémoire SRAM IC de 4 Mb (256K x 16) parallèle 45ns 44-TSOP2
La RAM est de 4 MB 3V X16 TSOP44 45NS -4
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