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Unité de microcontrôleur de MCU

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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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China AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de services de stockage et de traitement des données. wholesale

AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de services de stockage et de traitement des données.

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Numéro de modèle :Pour les appareils de type AS7C256A

Quantité minimale de commande :1

Conditions de paiement :T/T

Capacité à fournir :En stock

Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables

Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton

Type de mémoire :Volatil

Format de mémoire :SRAM

Technologie :SRAM - Asynchrone

Capacité de la mémoire :256Kbit

Organisation de mémoire :32K X 8

Interface de mémoire :Parallèlement

Fréquence du signal d'horloge :-

Écrivez la durée de cycle - Word, page :10ns

Temps d'accès :10 ns

Voltage - alimentation :4.5V à 5.5V

Température de fonctionnement :Pour les appareils de traitement des eaux usées:

Type de montage :Monture de surface

Emballage / boîtier :28 TSSOP (0,465", largeur de 11,80 mm)

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :28-TSOP I

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Détails du produit

Description fonctionnelle

L'AS7C256A est un périphérique CMOS 262,144-bit à haute performance de 5,0 V à mémoire statique à accès aléatoire (SRAM) organisé en 32 768 mots × 8 bits.Il est conçu pour les applications de mémoire nécessitant un accès rapide aux données à basse tensionLa conception et les techniques de processus avancées de l'Alliance permettent un fonctionnement à 5,0 V sans sacrifier les performances ou les marges de fonctionnement.

Caractéristiques

• épingle compatible avec AS7C256
• Options de température industrielle et commerciale
• Organisation: 32 768 mots × 8 bits
• Haute vitesse
- 10/12/15/20 ns temps d'accès à l'adresse
- 5, 6, 7, 8 ns de sortie permettent le temps d'accès
• Consommation d'énergie très faible: ACTIVE
- 412,5 mW maximum @ 10 ns
• Consommation électrique très faible: STANDBY
- 11 mW max I/O CMOS
• Extension facile de la mémoire avec des entrées CE et OE
• compatibles avec TTL, I/O à trois états
• les paquets standard JEDEC à 28 broches
- 300 millions de SOJ
- 8 × 13,4 mm TSOP 1
• Protection contre les DSE ≥ 2000 volts
• Courant de verrouillage ≥ 200 mA
• Rétention de données de 2,0 V

Les spécifications

Attribut	Valeur attribuée
Produit de fabrication	Alliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale.
Catégorie de produits	Circuits intégrés mémoire
Série	-
Emballage	Emballage de remplacement de plateau
Boîtier de colis	28 TSSOP (0,465", largeur de 11,80 mm)
Température de fonctionnement	Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface	Parallèlement
Appareil de régulation de la tension	4.5 V ~ 5.5 V
Produit fourni par le fournisseur	28-TSOP I
Capacité de mémoire	256K (32K x 8)
Type de mémoire	SRAM - Asynchrone
Vitesse	10 ans
Format-mémoire	La RAM

Décrits

SRAM - mémoire asynchrone IC 256Kb (32K x 8) parallèle 10ns 28-TSOP I

SRAM 256K, 5V, 10ns, FAST 32K x 8 SRAM asynchrone

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