Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Manufacturer from China
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CY7C1019DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Infineon Technologies est une société américaine basée à New York.

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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CY7C1019DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Infineon Technologies est une société américaine basée à New York.

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Numéro de modèle :CY7C1019DV33-10VXI
Quantité minimale de commande :1
Conditions de paiement :T/T
Capacité à fournir :En stock
Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :Volatil
Format de mémoire :SRAM
Technologie :SRAM - Asynchrone
Capacité de la mémoire :1Mbit
Organisation de mémoire :128K X 8
Interface de mémoire :Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :-
Écrivez la durée de cycle - Word, page :10ns
Temps d'accès :10 ns
Voltage - alimentation :3V à 3,6V
Température de fonctionnement :-40°C à 85°C (TA)
Type de montage :Monture de surface
Emballage / boîtier :32-BSOJ (0,400", largeur de 10.16mm)
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :32-SOJ
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Détails du produit

Caractéristiques

• Compatible avec les broches et les fonctions de CY7C1019CV33
• Haute vitesse
¢ tAA = 10 ns
• Faible puissance active
¢ CCI = 60 mA @ 10 ns
• Faible puissance en veille CMOS
¢ ISB2 = 3 mA
• Rétention de données de 2,0 V
• Arrêt automatique de l'alimentation lorsque cette option est désactivée
• CMOS pour une vitesse/puissance optimale
• Puissance centrale / épinglage au sol
• Extension facile de la mémoire avec les options CE et OE
• Disponible en SOJ moulé de 32 broches et 400 mil de largeur, sans Pb,
Les packs VFBGA à 32 broches TSOP II et à 48 boules

Les spécifications

AttributValeur attribuée
Produit de fabricationCypress Semiconductor
Catégorie de produitsCircuits intégrés mémoire
Série-
EmballageEmballage alternatif par tube
Boîtier de colis32-BSOJ (0,400", largeur de 10,16 mm)
Température de fonctionnement-40°C à 85°C (TA)
InterfaceParallèlement
Appareil de régulation de la tension3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur32-SOJ
Capacité de mémoire1M (128K x 8)
Type de mémoireSRAM - Asynchrone
Vitesse10 ans
Format-mémoireLa RAM

Décrits

SRAM - mémoire asynchrone IC 1 Mb (128 K x 8) parallèle 10ns 32-SOJ
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 10ns Tube SOJ à 32 broches
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