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Unité de microcontrôleur de MCU

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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MissZhao

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AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de la mémoire.

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Numéro de modèle :AS4C2M32SA-6TCN

Quantité minimale de commande :1

Conditions de paiement :T/T

Capacité à fournir :En stock

Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables

Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton

Type de mémoire :Volatil

Format de mémoire :DRACHME

Technologie :SDRAM

Capacité de la mémoire :64Mbit

Organisation de mémoire :2M x 32

Interface de mémoire :Parallèlement

Fréquence du signal d'horloge :166 MHz

Écrivez la durée de cycle - Word, page :2ns

Temps d'accès :5,5 NS

Voltage - alimentation :3V à 3,6V

Température de fonctionnement :Pour les appareils de traitement des eaux usées:

Type de montage :Monture de surface

Emballage / boîtier :86-TFSOP (0,400", largeur de 10.16mm)

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :86-TSOP II

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Détails du produit

Description fonctionnelle

L'AS4C256K16E0 est une mémoire à accès aléatoire dynamique CMOS (DRAM) de 4 mégaoctets de haute performance organisée en 262 144 mots par 16 bits.L'AS4C256K16E0 est fabriqué avec une technologie CMOS avancée et conçu avec des techniques de conception innovantes résultant en des vitesses élevées, une puissance extrêmement faible et de larges marges de fonctionnement au niveau des composants et des systèmes.

Caractéristiques

• Organisation: 262 144 mots × 16 bits
• Haute vitesse
- 30/35/50 ns de temps d'accès au RAS
- 16/18/25 ns temps d'accès à l'adresse de colonne
- 7/10/10/10 ns Temps d'accès au CAS
• Faible consommation électrique
- Actif: 500 mW maximum (AS4C256K16E0-25)
- en veille: 3,6 mW maximum, I/O CMOS (AS4C256K16E0-25)
• Mode page EDO
• Régénérez- vous
- 512 cycles de mise à jour, intervalle de mise à jour de 8 ms
- RAS uniquement ou CAS avant RAS - rafraîchissement ou auto rafraîchissement
L'option de mise à jour automatique est disponible uniquement pour les appareils de nouvelle génération.
• Lire-modifier-écrire
• compatibles avec TTL, I/O à trois états
• les paquets standard de la JEDEC
- 400 mil, 40 broches de SOJ
- 400 mil, 40/44 épingles
• alimentation électrique 5V
• Courant de verrouillage > 200 mA

Les spécifications

Attribut	Valeur attribuée
Produit de fabrication	Alliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale.
Catégorie de produits	Circuits intégrés mémoire
Série	-
Emballage	Plateau
Boîtier de colis	La taille de l'échantillon doit être comprise entre 0,4 et 0,6 mm.
Température de fonctionnement	Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface	Parallèlement
Appareil de régulation de la tension	3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur	86-TSOP II
Capacité de mémoire	64 M (2 M x 32)
Type de mémoire	SDRAM
Vitesse	166 MHz
Format-mémoire	La RAM

Décrits

Mémoire SDRAM IC 64 Mb (2M x 32) parallèle 166MHz 5,5ns 86-TSOP II

Une carte SD-RAM, 64M,3.3V 166MHz, 2M x 32

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