Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Manufacturer from China
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MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16MBIT PARALÈL 48VFBGA Micron Technology Inc.

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16MBIT PARALÈL 48VFBGA Micron Technology Inc.

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Numéro de modèle :MT5A1M1M1M2M2M2M2M2M2
Quantité minimale de commande :1
Conditions de paiement :T/T
Capacité à fournir :En stock
Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :Volatil
Format de mémoire :PSRAM
Technologie :PSRAM (pseudo SRAM)
Capacité de la mémoire :16Mbit
Organisation de mémoire :1M x 16
Interface de mémoire :Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :-
Écrivez la durée de cycle - Word, page :70ns
Temps d'accès :70 NS
Voltage - alimentation :1.7V | 1.95V
Température de fonctionnement :-30°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Type de montage :Monture de surface
Emballage / boîtier :48-VFBGA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :48-VFBGA (6x8)
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Détails du produit

SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE transistors qui sont équipés d'un système de transistors à haute performance

Caractéristiques

* Basse résistance équivalente à l'allumage; RCE (sat) 400mΩ à 1A
* 1 ampère de courant continu
* Ptot = 500 mW

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Plateau
Boîtier de colis 48-VFBGA
Température de fonctionnement -30°C à 85°C (TC)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 10,7 V à 1,95 V
Produit fourni par le fournisseur Pour les appareils de type VFBGA:
Capacité de mémoire 16M (1M x 16)
Type de mémoire Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la période de travail.
Vitesse 70 ans
Format-mémoire La RAM

Décrits

PSRAM (pseudo SRAM) mémoire IC de 16 Mb (1M x 16) parallèle à 70 ns 48-VFBGA (6x8)
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