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Unité de microcontrôleur de MCU

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IC par acquisition de données

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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MissZhao

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TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

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Numéro de modèle :Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre d'heures de travail.

Quantité minimale de commande :1

Conditions de paiement :T/T

Capacité à fournir :En stock

Délai de livraison :3 à 5 jours ouvrables

Détails de l'emballage :sacs antistatiques et boîtes en carton

Type de mémoire :Non-volatile

Format de mémoire :Flash

Technologie :ÉCLAIR - NON-ET (SLC)

Capacité de la mémoire :1Gbit

Organisation de mémoire :128M x 8

Interface de mémoire :Parallèlement

Fréquence du signal d'horloge :-

Écrivez la durée de cycle - Word, page :25ns

Temps d'accès :25 NS

Voltage - alimentation :2.7V à 3.6V

Température de fonctionnement :-40°C à 85°C (TA)

Type de montage :Monture de surface

Emballage / boîtier :63-VFBGA

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :63-TFBGA (9x11)

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Détails du produit

85 oC, ondulation élevée, condensateur à usage général

Le type TC est un condensateur électrolytique d'aluminium à usage général à 85 oC, à longue durée de vie de 1000 heures, à conduction axiale et à courant ondulatoire élevé, adapté aux équipements électroniques grand public..

Les points forts

• Objectif général
• Courant d'ondulation élevé
• Montage à profil bas

Les spécifications

Attribut	Valeur attribuée
Produit de fabrication	Toshiba Semi-conducteurs et stockage
Catégorie de produits	Circuits intégrés mémoire
Série	BenandTM
Emballage	Plateau
Boîtier de colis	Le nombre total de pièces de rechange est le suivant:
Température de fonctionnement	-40°C à 85°C (TA)
Interface	Parallèlement
Appareil de régulation de la tension	2.7 V ~ 3.6 V
Produit fourni par le fournisseur	Les produits de la catégorie 1 peuvent être utilisés pour les produits de la catégorie 2 ou 3.
Capacité de mémoire	1G (128M x 8)
Type de mémoire	EEPROM - NAND
Vitesse	25 ans
Format-mémoire	EEPROM - série

Décrits

Flash - NAND (SLC) mémoire IC 1Gb (128M x 8) parallèle 25ns 63-TFBGA (9x11)

SLC NAND Flash parallèle 3.3V 1G-bit

EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS et NAND EEPROM

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