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IOS programmable des laboratoires 185 de la série 598 du cyclone EPC6 des réseaux prédiffusés EP1C6Q240C8N
Caractéristiques
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Intel | |
Catégorie de produit : | FPGA - Réseau prédiffusé programmable de champ |
Cyclone EPC6 | |
5980 LE | |
Entrée-sortie 185 | |
1,5 V | |
3,3 V | |
0 C | |
+ 70 C | |
SMD/SMT | |
QFP-240 | |
Plateau | |
Fréquence maximum d'opération : | 250 mégahertz |
Humidité sensible : | Oui |
Nombre de blocs de rangée de logique - laboratoires : | LABORATOIRE 598 |
Tension d'alimentation d'opération : | 1,5 V à 3,3 V |
Type de produit : | FPGA - Réseau prédiffusé programmable de champ |
Description
Les dispositifs de Cyclone® contiennent une architecture de rangée et basée sur colonne bidimensionnelle pour mettre en application la logique faite sur commande. La colonne et la rangée relie ensemble des vitesses variables pour fournir le signal relie ensemble entre les laboratoires et les blocs de mémoire inclus.
La rangée de logique se compose des laboratoires, avec 10 LEs dans chaque LABORATOIRE. Un le est une petite unité de la logique fournissant l'exécution efficace des fonctions de logique d'utilisateur. Des laboratoires sont groupés en rangées et colonnes à travers le dispositif. Les dispositifs de cyclone s'étendent entre 2 910 à 20 060 LEs.
Les blocs de M4K RAM sont de véritables blocs de mémoire à double accès avec le peu 4K de la mémoire plus la parité (4 608 bits). Ces blocs fournissent la véritable mémoire à double accès et simple consacrée à double accès, ou de simple-port jusqu'à 36 bits au loin à jusqu'à 250 mégahertz. Ces blocs sont groupés en colonnes à travers le dispositif entre certains laboratoires. Les dispositifs de cyclone offrent entre 60 à 288 Kbits de RAM incorporé.
Chaque goupille d'entrée-sortie de dispositif de cyclone est alimentée par un élément d'entrée-sortie (IOE) situé aux fins des rangées de LABORATOIRE et aux colonnes autour de la périphérie du dispositif. Les goupilles d'entrée-sortie soutiennent de diverses normes assymétriques et différentielles d'entrée-sortie, telles que les 66 - et 33-MHz, 64 - et norme à 32 bits de PCI et la norme d'entrée-sortie de LVDS jusqu'à 640 Mbps. Chaque IOE contient un tampon bidirectionnel d'entrée-sortie et trois inscriptions à enregistrer l'entrée, sortie, et sortie-permet des signaux. Goupilles à double fonction de DQS, de DQ, et de DM avec des chaînes de retard (employées phase-pour aligner des signaux de la RDA) fournir à l'appui d'interface les blocs de mémoires externes tels que des dispositifs de la RDA SDRAM, et du FCRAM à jusqu'à 133 mégahertz (266 Mbps)
Caractéristiques
■2 910 à 20 060 LEs, voient le tableau 1-1
■Jusqu'à 294 912 bits de RAM (36 864 octets)
■Soutient la configuration par le dispositif bon marché de configuration périodique
■Soutien des normes de l'entrée-sortie LVTTL, LVCMOS, SSTL-2, et SSTL-3
■Soutien de 66 - et de 33-MHz, 64 - et norme à 32 bits de PCI
■(640 Mbps) appui ultra-rapide d'entrée-sortie de LVDS
■(311 Mbps) appui à vitesse réduite d'entrée-sortie de LVDS
■appui d'entrée-sortie de 311-Mbps RSDS
■Jusqu'à deux PLLs par dispositif fournir la multiplication d'horloge et déphaseur
■Jusqu'à huit lignes globales d'horloge avec six ressources d'horloge disponibles par rangée de bloc de rangée de logique (LABORATOIRE)
■Soutien de mémoire externe, y compris la RDA SDRAM (133 mégahertz), le FCRAM, et le débit simple (DTS) SDRAM
■Soutien des noyaux multiples de la propriété intellectuelle (IP), y compris des fonctions d'Altera® MegaCore® et des megafunctions du programme d'associés d'Altera Megafunctions (AMPPSM).
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