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MOS de N-canal de silicium des transistors 38.8A 600V 50W de la commutation NPN PNP de puissance de TK39A60W

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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MOS de N-canal de silicium des transistors 38.8A 600V 50W de la commutation NPN PNP de puissance de TK39A60W

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Number modèle :TK39A60W, S4VX
Point d'origine :original
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :10000pcs par bouche
Délai de livraison :jours 2-3work
Détails de empaquetage :2500pcs
Type :Transistor MOSFET
Description :N-ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
Paquet :TO-220FP-3
Emballage :Tube et boîte
Garantie :180 jours après l'expédition
Expédition par :DHL \ UPS \ Fedex \ courrier de SME \ du HK \ TNT
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MOS de N-canal de silicium du transistor de commutation de puissance de TOSHIBA TK39A60W 38.8A 600V 50W 4100pF

Applications

Régulateurs de tension de changement

Description

Transistors MOSFET de Toshiba DTMOSIV employer le processus épitaxial simple de pointe, qui fournit une réduction de 30% dedans

RDS (dessus), un facteur de mérite (FOM) pour des transistors MOSFET, comparé à son prédécesseur, DTMOSIII. Cette réduction de

RDS (dessus)permet pour loger R inférieurDS (dessus)puces dans les mêmes paquets. Ceci aide à améliorer l'efficacité

et réduisez la taille des alimentations d'énergie. Les transistors MOSFET de Toshiba DTMOSIV sont idéaux pour l'usage avec des régulateurs de commutation.

MOS de N-canal de silicium des transistors 38.8A 600V 50W de la commutation NPN PNP de puissance de TK39A60W                                                         

 

Caractéristiques

                                                                                                              
1) Basse sur-résistance de drain-source : Le RDS (DESSUS) = 0,055 Ω (type.) par utilisés à la structure superbe de jonction : DTMOS
(2) facile de commander la commutation de porte
(3) mode d'amélioration : Vth = 2,7 à 3,7 V (VDS = 10 V, identifications = 1,9 mA)

Caractéristiques

Attribut de produit Valeur d'attribut
SI
Par le trou
TO-220FP-3
N-canal
La 1 Manche
600 V
38,8 A
55 mOhms
- 30 V, + 30 V
3,7 V
110 OR
- 55 C
+ 150 C
50 W
Amélioration
DTMOSIV
TK39A60W
Tube
Marque : Toshiba
Configuration : Simple
Temps de chute : 9 NS
Taille : 15 millimètres
Longueur : 10 millimètres
Temps de montée : 50 NS

Guide marchand

Expédition Période de livraison Pour des pièces de dans-actions, on estime que des ordres se transportent en 3 jours.
Une fois que transporté, prévu délai de livraison dépend des transporteurs ci-dessous que vous avez choisis :
DHL exprès, 3-7 Business Day.
Commerce électronique de DHL, 12-22 Business Day.
Priorité internationale de Fedex, 3-7 Business Day
SME, 10-15 Business Day.
La poste aérienne recommandée, 15-30 Business Day.
Taux de expédition Après confirmation de l'ordre, nous évaluerons les frais de transport sur base du poids des marchandises
Option de expédition Nous fournissons DHL, Fedex, le SME, le SF exprès, et l'expédition internationale enregistrée de la poste aérienne.
Cheminement d'expédition Nous vous informerons par l'email avec le numéro de suivi une fois que l'ordre est embarqué.

Renvoi

garantie

Renvoi Des retours sont normalement acceptés une fois accomplis d'ici 30 jours de la date de l'expédition. Les pièces devraient être inutilisées et dans l'emballage original. Le client doit prendre la charge pour l'expédition.
Garantie Tous les achats de Retechip viennent avec une politique de retour de retour de 30 jours, cette garantie ne s'appliquera à aucun article où des défauts ont été provoqués par opération inexacte d'assemblée, de manque par le client de suivre des instructions, de produit de modification, négligente ou inexacte de client
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