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TK5A90E, transistor MOSFET de la Manche des transistors 4.5A 900V 3.1Ohms N de S4X NPN PNP

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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TK5A90E, transistor MOSFET de la Manche des transistors 4.5A 900V 3.1Ohms N de S4X NPN PNP

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Number modèle :TK5A90E, S4X
Point d'origine :original
Quantité d'ordre minimum :50pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :20000pcs par bouche
Délai de livraison :jours 2-3work
Détails de empaquetage :2500pcs
Type :Transistor MOSFET
Description :ACTIONNEZ LE TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ DE TRANSISTOR MOSFET
Paquet :TO-220FP-3
Poids spécifique :0,068784 oz
Garantie :180 jours après l'expédition
Expédition par :DHL \ UPS \ Fedex \ courrier de SME \ du HK \ TNT
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TK5A90E, transistor MOSFET de changement de N-canal des régulateurs de tension de S4X 4.5A 900V 3.1Ohms

Applications

Régulateurs de tension de changement

Description

Les transistors MOSFET VII de π-MOS de Toshiba sont commande de la porte 10V, dispositifs simples de N-canal, combinant la technologie π-MOS avec

un processus planaire pour fournir un large choix de tension et de RDS (DESSUS)estimations. Ces transistors MOSFET à haute tension sont

offert avec une gamme de tension de drain-source de 250V jusqu'à 650V, et avec une gamme actuelle de drain de 2A à 20A.

Les transistors MOSFET π-MOS VII sont offerts dans TO-220-3 et TO-252 par des paquets de trou, et DPAK-3 compact et

Paquets de bâti de la surface PW-Mold-3.

TK5A90E, transistor MOSFET de la Manche des transistors 4.5A 900V 3.1Ohms N de S4X NPN PNP                                                 

Caractéristiques

                                                                                                              
(1) basse sur-résistance de drain-source : Ω 2,5 du RDS (DESSUS) = (type.)
(2) bas courant de fuite : IDSS = µA 10 (maximum) (VDS = 720 V)
(3) mode d'amélioration : Vth = 2,5 à 4,0 V (VDS = 10 V, identifications = 0,45 mA)

Caractéristiques

Attribut de produit Valeur d'attribut
Catégorie de produit : Transistor MOSFET
Par le trou
TO-220-3
N-canal
La 1 Manche
900 V
4,5 A
3,1 ohms
- 30 V, + 30 V
2,5 V
20 OR
- 55 C
+ 150 C
40 W
Amélioration
MOSVII
Tube
Marque : Toshiba
Configuration : Simple
Temps de chute : 15 NS
Temps de montée : 25 NS

Guide marchand

Expédition Période de livraison Pour des pièces de dans-actions, on estime que des ordres se transportent en 3 jours.
Une fois que transporté, prévu délai de livraison dépend des transporteurs ci-dessous que vous avez choisis :
DHL exprès, 3-7 Business Day.
Commerce électronique de DHL, 12-22 Business Day.
Priorité internationale de Fedex, 3-7 Business Day
SME, 10-15 Business Day.
La poste aérienne recommandée, 15-30 Business Day.
Taux de expédition Après confirmation de l'ordre, nous évaluerons les frais de transport sur base du poids des marchandises
Option de expédition Nous fournissons DHL, Fedex, le SME, le SF exprès, et l'expédition internationale enregistrée de la poste aérienne.
Cheminement d'expédition Nous vous informerons par l'email avec le numéro de suivi une fois que l'ordre est embarqué.

Renvoi

garantie

Renvoi Des retours sont normalement acceptés une fois accomplis d'ici 30 jours de la date de l'expédition. Les pièces devraient être inutilisées et dans l'emballage original. Le client doit prendre la charge pour l'expédition.
Garantie Tous les achats de Retechip viennent avec une politique de retour de retour de 30 jours, cette garantie ne s'appliquera à aucun article où des défauts ont été provoqués par opération inexacte d'assemblée, de manque par le client de suivre des instructions, de produit de modification, négligente ou inexacte de client
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