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TK13A60D (STA4, Q, M) transistor à effet de champ de TOSHIBA 13A 600V MOS de N-canal de 0,33 ohms
La Manche MOS Type du silicium N de transistor à effet de champ de TOSHIBA
Applications
Régulateurs de tension de changement
Description
Les transistors MOSFET VII de π-MOS de Toshiba sont commande de la porte 10V, dispositifs simples de N-canal, combinant la technologie π-MOS avec
un processus planaire pour fournir un large choix de tension et de RDS (DESSUS)estimations. Ces transistors MOSFET à haute tension sont
offert avec une gamme de tension de drain-source de 250V jusqu'à 650V, et avec une gamme actuelle de drain de 2A à 20A.
Les transistors MOSFET π-MOS VII sont offerts dans TO-220-3 et TO-252 par des paquets de trou, et DPAK-3 compact et
Paquets de bâti de la surface PW-Mold-3.
Caractéristiques
Caractéristiques
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Toshiba | |
Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
SI | |
Par le trou | |
TO-220-3 | |
N-canal | |
La 1 Manche | |
600 V | |
13 A | |
430 mOhms | |
- 30 V, + 30 V | |
2 V | |
40 OR | |
- 55 C | |
+ 150 C | |
50 W | |
Amélioration | |
TK13A60D | |
Bobine | |
Coupez la bande | |
MouseReel | |
Marque : | Toshiba |
Configuration : | Simple |
Temps de chute : | 25 NS |
Taille : | 15 millimètres |
Longueur : | 10 millimètres |
Temps de montée : | 50 NS |
Guide marchand
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Cheminement d'expédition | Nous vous informerons par l'email avec le numéro de suivi une fois que l'ordre est embarqué. | |
Renvoi garantie |
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Commande |
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