SUD50P06-15-GE3/transistor MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin (2+Tab) DPAK de transport
Notes :
a. Essai d'impulsion ; durée d'impulsion
≤
300 μs, coefficient d'utilisation
≤
2 %.
b. Garanti par conception, pas s
ubject à l'essai de production.
c. Indépendant de température de fonctionnement
Notes :
a. Essai d'impulsion ; μs du ≤ 300 de durée d'impulsion, ≤ 2 % de coefficient d'utilisation.
b. Garanti par conception, pas sujet à l'essai de production.
c. Indépendant de température de fonctionnement.
Notes :
a. Essai d'impulsion ; durée d'impulsion
≤
300 μs, coefficient d'utilisation
≤
2 %.
b. Garanti par conception, pas s
ubject à l'essai de production.
c. Indépendant de température de fonctionnement
Attribut de produit Valeur d'attribut
Fabricant : Vishay
Catégorie de produit : Transistor MOSFET
Technologie : SI
Montage du style : SMD/SMT
Paquet/cas : TO-252-3
Polarité de transistor : P-canal
Nombre de canaux : La 1 Manche
Vds - tension claque de Drain-source : 60 V
Identification - courant continu de drain : 50 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source : 15 mOhms
Vgs - tension de Porte-source : - 20 V, + 20 V
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source : 3 V
Qg - charge de porte : 40 OR
Température de fonctionnement minimum : - 55 C
Température de fonctionnement maximum : + 150 C
Palladium - dissipation de puissance : 113 W
Mode de la Manche : Amélioration
Nom commercial : TrenchFET
Emballage : Bobine
Emballage : Coupez la bande
Emballage : MouseReel
Marque : Semi-conducteurs de Vishay
Configuration : Simple
Temps de chute : 30 NS
Transconductance en avant - minute : 61 S
Taille : 2,38 millimètres
Longueur : 6,73 millimètres
Type de produit : Transistor MOSFET
Temps de montée : 9 NS
Série : LESSIVE
Quantité de paquet d'usine : 2000
Sous-catégorie : Transistors MOSFET
Type de transistor : 1 P-canal
Temps de retard d'arrêt typique : 65 NS
Temps de retard d'ouverture typique : 8 NS
Largeur : 6,22 millimètres
Partie # noms d'emprunt : SUD50P06-15-BE3
Poids spécifique : 0,011640 onces
