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HAOXIN HK ELECTRONIC TECHNOLOGY CO. LIMITED

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MissChen

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transistors MOSFET

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Number modèle :STH315N10F7-2

Point d'origine :La Chine

Quantité d'ordre minimum :1

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacité d'approvisionnement :Contactez-nous

Délai de livraison :En stock

Détails de empaquetage :Norme/nouveau/original

Température de fonctionnement :- ℃ 55 + au ℃ 175

Palladium - dissipation de puissance :315 W

Vds - tension claque de Drain-source :100 V

Identification - Courant continu de drain :180 A

Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source :3,5 V

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STH315N10F7-2/TO-263-3/transistors MOSFET

Ces transistors MOSFET de puissance de N-canal utilisent la technologie de STripFET F7 avec une structure augmentée de porte de fossé qui a comme conséquence la résistance très basse de sur-état, tout en également réduisant la charge interne de capacité et de porte pour une commutation plus rapide et plus efficace.

Attribut de produit	Valeur d'attribut
Fabricant :	STMicroelectronics
Catégorie de produit :	Transistor MOSFET
Technologie :	SI
Montage du style :	SMD/SMT
Paquet/cas :	H2PAK-2
Polarité de transistor :	N-canal
Nombre de canaux :	La 1 Manche
Vds - tension claque de Drain-source :	100 V
Identification - courant continu de drain :	180 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source :	2,3 mOhms
Vgs - tension de Porte-source :	- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source :	3,5 V
Qg - charge de porte :	180 OR
Température de fonctionnement minimum :	- 55 C
Température de fonctionnement maximum :	+ 175 C
Palladium - dissipation de puissance :	315 W
Mode de la Manche :	Amélioration
Qualification :	AEC-Q101
Nom commercial :	STripFET
Emballage :	Bobine
Emballage :	Coupez la bande
Emballage :	MouseReel
Marque :	STMicroelectronics
Configuration :	Simple
Temps de chute :	40 NS
Type de produit :	Transistor MOSFET
Temps de montée :	108 NS
Série :	STH315N10F7-2
Quantité de paquet d'usine :	1000
Sous-catégorie :	Transistors MOSFET
Type de transistor :	1 N-canal
Temps de retard d'arrêt typique :	148 NS
Temps de retard d'ouverture typique :	62 NS
Poids spécifique :	0,139332 onces

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