HAOXIN HK ELECTRONIC TECHNOLOGY CO. LIMITED

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Circuits intégrés discrets des dispositifs de semi-conducteur SI4943CDY-T1-GE3 SOIC-8 rf

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Circuits intégrés discrets des dispositifs de semi-conducteur SI4943CDY-T1-GE3 SOIC-8 rf

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Number modèle :SI4943CDY-T1-GE3
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :Contactez-nous
Délai de livraison :En stock
Détails de empaquetage :Norme/nouveau/original
Partie # noms d'emprunt :SI4943CDY-GE3
Largeur :3,9 millimètres
Longueur :4,9 millimètres
Quantité de paquet d'usine :2500
Taille :1,75 millimètres
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SI4943CDY-T1-GE3/SOIC-8/semi-conducteurs discrets

 

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Vishay
Catégorie de produit : Transistor MOSFET
SI
SMD/SMT
SOIC-8
P-canal
La Manche 2
20 V
8 A
mOhms 19,2
- 20 V, + 20 V
3 V
62 OR
- 55 C
+ 150 C
3,1 W
Amélioration
TrenchFET
SI4
Bobine
Coupez la bande
MouseReel
Marque : Semi-conducteurs de Vishay
Configuration : Double
Taille : 1,75 millimètres
Longueur : 4,9 millimètres
Type de produit : Transistor MOSFET
Quantité de paquet d'usine : 2500
Sous-catégorie : Transistors MOSFET
Largeur : 3,9 millimètres
Partie # noms d'emprunt : SI4943CDY-GE3
Poids spécifique : 0,006596 onces

Circuits intégrés discrets des dispositifs de semi-conducteur SI4943CDY-T1-GE3 SOIC-8 rf

 

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