produits Fournisseurs Sign in Register

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Manufacturer from China
Membre actif
2 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous Demander un devis
Français
Accueil / produits / High Power MOSFET / Mode d'amélioration du canal N Puissance MOSFET 4A 500V 2.1Ω Pour l'alimentation en veille /

show pictures

Catégories de produits

Invertisseur IGBT

 [49]

IGBT à haute puissance

 [51]

Transistor MOSFET de puissance élevée

 [51]

MOSFET à super jonction

 [51]

MOSFET basse tension

 [84]

Transistor MOSFET à haute tension

 [59]

Diodes de barrière de Schottky

 [82]

Diodes de récupération rapide

 [51]

Faible fréquence VF Schottky

 [66]

Semi-conducteurs à haute puissance

 [28]

MOSFET en carbure de silicium

 [21]

SBD au carbure de silicium

 [21]
Contacter
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ville:dongguan
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrsQinqin
Coordonnées du contact
Contacter

Mode d'amélioration du canal N Puissance MOSFET 4A 500V 2.1Ω Pour l'alimentation en veille
Mode d'amélioration du canal N Puissance MOSFET 4A 500V 2.1Ω Pour l'alimentation en veille
  • Mode d'amélioration du canal N Puissance MOSFET 4A 500V 2.1Ω Pour l'alimentation en veille
produits détaillés
4A 500V 2.1Ω MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N pour l'alimentation en veille MOSFET de puissance en mode d'amélioration N-canal ...
voir produits détaillés →

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2026 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4