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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Ville:dongguan

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MrsQinqin

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Mode d'amélioration du canal N IGBT haute puissance pour convertisseur de fréquence

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Lieu d'origine :Chine

Quantité minimale de commande :Demandez

Conditions de paiement :T/T à l'avance (EXW)

Capacité à fournir :600KK par an

Délai de livraison :2-30 jours ((Dépend de la quantité de la commande)

Détails de l'emballage :Tube+Carton

Vitesse de changement :Vitesse de commutation plus rapide

Nom du produit :IGBT à haute puissance

Application du projet :OBC, pile de charge, machine à souder, alimentation électrique par commutation, onduleur photovoltaï

Avantages :Conception de plateau étroit, conception de combinaison de rainures plus optimisée, conception de fi

Type de dispositif :IGBT

Le paquet :TO-247

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MOSFET à basse tension multifonctionnel pour la gestion de l'énergie

Caractéristiques

• Coefficient de température positif

• Commutation à grande vitesse

• Faible tension de saturation du collecteur à l'émetteur

• Facilité de commutation parallèle

• Le court-circuit résiste à 10 μs

• Des performances de résistance élevées

Applications

• Une centrale électrique portable

• conducteur automobile

Le paquet:

TO-247

Mode d'amélioration du canal N IGBT haute puissance pour convertisseur de fréquence

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