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Machine d'épilation de laser d'IPL+808 nanomètre
Specificatons de cette machine
Laser de diode
Type de laser |
Laser de semi-conducteur |
longueur d'onde |
808nm |
Mode sortie |
impulsion |
Méthode de contrôle |
contact |
Densité d'énergie |
10-50J/cm2 |
Gamme de durée d'impulsion |
1-400ms |
Puissance assurée |
AC220V, 50HZ AV110V, 60HZ |
Taille de tache |
10*20mm |
Système de refroidissement |
L'eau, air, refroidissement de semi-conducteur |
Puissance d'entrée |
1800W |
Fréquence |
1-10Hz |
Température de surface de tache lumineuse |
0~30°C |
Spécifications de fusible |
Ø5×2510A |
Lumière de chargement initial
Longueur d'onde |
Heure : 690nm, SR : 560nm, VR : 420nm |
Temps de décharge |
1-3s |
Première durée d'impulsion |
0.1-15.0ms |
largeur de Sous-impulsion |
0.1-15.0ms |
Densité d'énergie |
20-50J/cm2 |
Fermentez le temps |
10-990ms |
Fournissez le mode de puissance |
AC220V, 50HZ AV110V, 60HZ |
Taille de tache |
Heure : 16mmX57mm SR/VR : 8mmX34mm |
Système de refroidissement |
L'eau, air, refroidissement de semi-conducteur |
Puissance |
1800W |
Norme de sécurité |
MaxX10A |
La température de refroidissement |
-22°C~0°C |
écran d'operatin
Avant et après des images
Laser de diode
Lumière de chargement initial
Certification
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