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Le watt 850nm IR du degré 0,06 du matériel 120 de puce de GaAs a mené la diode électroluminescente de la puce 0850 SMD
Diode émetteuse d'infrarouge de SMD
| Paramètres | Symbole | Minimal. | Type. | Maximum. | Unité | Condition d'essai |
| Radiance * | L'EE | 0,20 | 0,35 | --- | mW/sr | IF=20mA |
| --- | 2,50 | --- |
IF=100mA (Impulsion Width≤100µs, Duty≤1%) |
|||
| Angle de visualisation * | 2θ 1/2 | --- | 140 | --- | Degré | IF=20mA (note 2) |
| Longueur d'onde maximale d'émission | λp | --- | 940 | --- | nanomètre | IF=20mA (note 3) |
| Largeur de bande spectrale | △λ | --- | 50 | --- | nanomètre | IF=20mA |
| Tension en avant | VF | 0,80 | 1,20 | 1,50 | V | IF=20mA |
| --- | 1,60 | 1,80 |
IF=100mA (Impulsion Width≤100µs, Duty≤1%) |
|||
| Courant inverse | IR | --- | --- | 10 | µA | VR=5V |
Notes :
L'allocation (rayonnante) lumineuse de mesure d'intensité est le θ1/2 du ± 10%. est l'angle en dehors de l'axe auquel l'intensité lumineuse est moitié d'intensité lumineuse axiale. La longueur d'onde dominante (λp) est dérivée du diagramme de chromaticité de cie et représente la longueur d'onde simple qui définit la couleur du dispositif.| Paramètres | Symbole | Maximum. | Unité |
| Dissipation de puissance | Palladium | 100 | mW |
|
Courant en avant maximal (Coefficient 1/10 d'utilisation, durée d'impulsion 0.1ms) |
IFP | 1,00 | A |
| Courant en avant | SI | 50 | mA |
| Tension inverse | VR | 5 | V |
| Chaîne de température de fonctionnement | Topr | -40℃ à +80℃ | |
| Température ambiante de température de stockage | Tstg | -40℃ à +100℃ | |
| La température de soudure d'avance | Tsld | 260℃ pendant 5 secondes | |