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La diode électroluminescente menée infrarouge 3 ébrèche dans un 0.2W SMD 5050 IR LED 940nm
Diode émetteuse d'infrarouge de SMD 5050
Paramètres | Symbole | Maximum. | Unité |
Dissipation de puissance | Palladium | 130 | mW |
Courant en avant maximal (Coefficient 1/10 d'utilisation, durée d'impulsion 0.1ms) |
IFP | 1,00 | A |
Courant en avant continu | SI | 65 | mA |
Tension inverse | VR | 5 | V |
Chaîne de température de fonctionnement | Topr | -25℃ à +80℃ | |
Température ambiante de température de stockage | Tstg | -40℃ à +85℃ | |
La température de soudure | Tsld | 260℃ pendant 5 secondes |
Caractéristiques optiques électriques à Ta=25℃
Paramètres | Symbole | Minimal. | Type. | Maximum. | Unité | Condition d'essai |
Radiance * | L'EE | 1,00 | 1,50 | --- | mW/sr | IF=20mA |
--- | 7,00 | --- |
IF=100mA (Impulsion Width≤100µs, Duty≤1%) |
|||
Angle de visualisation * | 2θ 1/2 | --- | 120 | --- | Degré | IF=20mA (note 2) |
Longueur d'onde maximale d'émission | λp | --- | 940 | --- | nanomètre | IF=20mA (note 3) |
Largeur de bande spectrale | △λ | --- | 45 | --- | nanomètre | IF=20mA |
Tension en avant | VF | 0,80 | 1,20 | 1,50 | V | IF=20mA |
--- | 1,40 | 1,80 |
IF=100mA (Impulsion Width≤100µs, Duty≤1%) |
|||
Courant inverse | IR | --- | --- | 10 | µA | VR=5V |
Notes :
L'allocation (rayonnante) lumineuse de mesure d'intensité est le θ1/2 du ± 10%. est l'angle en dehors de l'axe auquel l'intensité lumineuse est moitié d'intensité lumineuse axiale. La longueur d'onde dominante (λp) est dérivée du diagramme de chromaticité de cie et représente la longueur d'onde simple qui définit la couleur du dispositif.