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C'est la série IR de 3mm émettant la diode le T-1 que standard a menée avec le type récepteur de bride de photodiode de goupille de silicium
Numéro de la pièce. | Chip Material | Couleur de lentille | Couleur de source |
DL-304PDA-2PD | Silicium | Noir | Récepteur de photodiode |
Notes :
Caractéristiques :
Descriptions :
Applications :
Capacités absolues à Ta=25℃
Paramètres | Symbole | Maximum. | Unité |
Dissipation de puissance | Palladium | 150 | mW |
Tension inverse | VR | 32 | V |
Chaîne de température de fonctionnement | Topr | -25℃ à +80℃ | |
Température ambiante de température de stockage | Tstg | -40℃ à +85℃ | |
La température de soudure d'avance [4mm (.157 ″) du corps] | Tsld | 260℃ |
Caractéristiques optiques électriques à Ta=25℃
Paramètres | Symbole | Mn. | Type. | Maximum. | Unité | Condition d'essai |
Panne inverse | AU-DELÀ DE LA PORTÉE OPTIQUE | 32 | 170 | --- | V | Ee=0mW/cm2, IR=100μA |
Tension à circuit ouvert | COV | --- | 0,42 | --- | V | Ee=5mW/cm2 λp=940nm |
Courant de court-circuit | ISC | --- | 30 | --- | μA | Ee=1mW/cm2, λp=940nm, VR =5V |
Courant léger inverse | L'IL | 1,0 | 3,0 | --- | ||
Courant d'obscurité | Identification | --- | --- | 10 | Na | Ee=0mW/cm2, VR =10V |
Longueur d'onde de sensibilité maximale | λp | --- | 940 | --- | nanomètre | |
A sonné de la largeur de bande spectrale | λd | 840 | --- | 1100 | nanomètre | |
Capacité totale | Ct | --- | 5 | --- | PF | Ee=0mW/cm2, f=1MHZ, VR =5V |
Temps de montée (10% 90%) | TR | --- | 6 | --- | NS | RL=100Ω, VR =10V |
Temps de chute (90% 10%) | Tf | --- | 6 | --- |
Notes :
(Température ambiante 25℃ sauf indication contraire)
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