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Composant de circuit passif de condensateurs électrolytiques de MAL220212682E3 SMD
Condensateurs électrolytiques passifs du composant de circuit MAL220212682E3 SMD Description de produit : Vishay/puisque les composants 202 cond...
L'électronique micro Cie., Ltd de Shenzhen Zhongkaixin.
Pièce 406-408, bâtiment de Shenfang C, rue de Huaqiangbei, secteur de Futian, Shenzhen, Chine
Condensateurs électrolytiques passifs du composant de circuit MAL219390123E3 SMD
Condensateurs électrolytiques passifs du composant de circuit MAL219390123E3 SMD Description de produit : Vishay puisque des composants 193 PUR-...
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Couche épaisse passive Chip Resistors Circuit Component de RCA06032K00JNEA SMD
Résistances passives de couche épaisse du composant de circuit RCA06032K00JNEA SMD Description de produit : La production est strictement comman...
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Composant de circuit extérieur passif de condensateur électrolytique de bâti de SMD ALH82A820CB550
Composant de circuit passif ALH82A820CB550 Condensateurs électrolytiques SMD Description du produit: The KEMET ALH82 snap-in capacitors...
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Les réseaux passifs de résistance de RCA06032K00JNEA SMD range le composant de circuit
Composant de circuit passif RCA06032K00JNEA SMD 2512 Réseaux de résistances et tableaux Les caractéristiques: • AEC-Q...
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Condensateurs électrolytiques passifs du composant de circuit PEG226KL4270QE4 SMD
Composant de circuit passif PEG226KL4270QE4 Condensateurs électrolytiques SMD Description du produit: Le KEMET PEG226 est un condensateu...
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Composant de circuit passif de résistances à couche mince de TNPU060349R9BZEN00 SMD
Composant de circuit passif TNPU060349R9BZEN00 Résistances à film mince SMD Les caractéristiques: • Faible coefficien...
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Condensateurs électrolytiques passifs du composant de circuit MAL217250122E3 SMD
Composant de circuit passif MAL217250122E3 Condensateurs électrolytiques SMD Les caractéristiques: • très longue dur...
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Composants de circuit intégré de bâti de surface du circuit 8-SOIC de l'amplificateur 1 de TLE2061IDR J-FET
Composants de circuit intégré de bâti de surface du circuit 8-SOIC de l'amplificateur 1 de TLE2061IDR J-FET. Type d'amplificateur J-FET Nombre de circuits 1 Type de sortie - Taux de groupe 3.4V/µs Produit de largeur de bande de gain 2MHz Actuel - polarisation d'entrée 4pA Tension - compensation d'entrée 600µV Actuel - approvisionnement 290µA Actuel - sortie/Manche 80mA Tension - l'approvisionnemen...
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, Chine 518031
Composants de circuit intégré de bâti de surface du circuit 8-SOIC de l'amplificateur 1 de TLE2061IDR J-FET
Composants de circuit intégré de bâti de surface du circuit 8-SOIC de l'amplificateur 1 de TLE2061IDR J-FET. Type d'amplificateur J-FET...
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
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