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1 - 10 Résultats pour ddr ii sdram de 586 produits
1-1473005-1 Connecteurs AMP TE Connectivity Prise SODIMM DDR SDRAM
1-1473005-1 Connecteurs AMP TE Connectivity 1473005 Prise SDRAM DDR SODIMM 200 positions Des détails : Support SODIMM DDR SDRAM à 200 positions...
Angel Technology Electronics Co
Fournisseur Vérifié
FL16 Construction côtière bloc est district de Nanshan Shenzhen Chine 518000
Paquet FBGA-96 ROHS de K4B4G1646E-BYMA Samsung RDA SDRAM
LA RDA SDRAM K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA Fabricant Samsung MFR.Part #K4B4G1646E-BYMA Pièce #C500275 de JLCPCB PackageFBGA-96...
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Fournisseur Vérifié
Pièce 2808-2809, Duhuixuan, no. 3018, avenue de Shennan, la Communauté de Huahang, rue du nord de Huaqiang, secteur de Futian, Shenzhen
Circuit intégré IC de régulateur d'arrêt de la puce DDR-II de circuit intégré de LP2997MRX
Régulateur d'arrêt de LP2997 DDR-II Description générale Le régulateur LP2997 linéaire est conçu pour répondre aux caractéristiques de JED...
Anterwell Technology Ltd.
Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
Circuit intégré de régulateur de terminaison DDR-II de puce de circuit intégré LP2997MRX ic de circuit intégré
Régulateur de terminaison DDR-II LP2997 Description générale Le régulateur linéaire LP2997 est conçu pour répondre aux spécification...
ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
Repérage d'arrêt d'IC PMIC DDR-II de gestion de chemin de puissance de LP2997MRX/NOPB
Repérage d'arrêt d'IC PMIC DDR-II de gestion de chemin de puissance de LP2997MRX/NOPB CARACTÉRISTIQUES Source et courant d'évier Basse...
ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
Gestion IC PMIC DDR-I de chemin de puissance de LP2998MRX/NOPB et repérage d'arrêt de DDR-II
Gestion IC PMIC DDR-I de chemin de puissance de LP2998MRX/NOPB et repérage d'arrêt de DDR-II Caractéristiques 1 Conseils de l'essai AEC...
ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
K4H561638H-UCB3 IC électronique ébrèche des spécifications de la RDA SDRAM de la H-matrice 256Mb
K4H560438H K4H560838H K4H561638H spécifications de la RDA SDRAM de la H-matrice 256Mb 66 TSOP-II avec sans Pb (RoHS conforme) Foncti...
Anterwell Technology Ltd.
Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
Puce MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D d'IC de mémoire de 1GB RDA SDRAM
MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D - 1 Go de mémoire SDR Trouvez des informations ici dans stock.xlsx Introduction: Le MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D est un module SD...
commerce international rongxing Cie., limité
Salle 10b, 10ème étage, bâtiment électronique de technologie, nord de Huaqiang, Shenzhen
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 - 512MB RDA SDRAM
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 - 512 Mo de mémoire SDR Trouvez des informations ici dans stock.xlsx Introduction: Le MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 est un module...
commerce international rongxing Cie., limité
Salle 10b, 10ème étage, bâtiment électronique de technologie, nord de Huaqiang, Shenzhen
Puce IC mémoire SDRAM DDR 256 Mo MT29RZ2C2DZZMGMF-18
MT29RZ2C2DZZMGMF-18 - 256 Mo de mémoire SDR Trouvez des informations ici dans stock.xlsx Introduction: Le MT29RZ2C2DZZMGMF-18 est un module DDR SDRA...
commerce international rongxing Cie., limité
Salle 10b, 10ème étage, bâtiment électronique de technologie, nord de Huaqiang, Shenzhen
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