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Chip de mémoire IC K4UHE3D4AB-MGCL Chip de mémoire DDR Chip de mémoire de 2,5 V à 9 V dans un emballage BGA avec une plage de fonctionnement de -40 °C à 90 °C

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Puce IC de mémoire K4UHE3D4AB-MGCL Puce de mémoire DDR de 2,5 V à 9 V dans le boîtier BGA Description du produit de K4UHE3D4AB-MGCLLe K4UHE3D4AB-MGC...
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
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1239 nouvelle Asie Guoli Building Zhenzhong Road. , Secteur Shenzhen Chine de Futian

Puce de mémoire flash eMMC5.1 haute vitesse avec une capacité de 16 Go, 8 Go, 4 Go et une large plage de température pour le stockage embarqué

China Puce de mémoire flash eMMC5.1 haute vitesse avec une capacité de 16 Go, 8 Go, 4 Go et une large plage de température pour le stockage embarqué on sale
Mémoire Flash haute vitesse eMMC5.1, 8 go, 16 go, 4 go, puce de stockage intégrée à large température Architecture hautement intégrée L'eMMC (E...
China Chips Star Semiconductor Co., Ltd.
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Construction 7B, parc industriel créatif Huaqiang, Guangming, Shenzhen, Guangdong, Chine

Grade industriel 128GB eMMC Flash Mémoire à large température et support de lecture et écriture continue

China Grade industriel 128GB eMMC Flash Mémoire à large température et support de lecture et écriture continue on sale
Mémoire Flash eMMC industrielle 128 Go avec large plage de température et prise en charge de lecture/écriture continue Présentation de la puce IC e...
China Chips Star Semiconductor Co., Ltd.
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Construction 7B, parc industriel créatif Huaqiang, Guangming, Shenzhen, Guangdong, Chine

Module de mémoire flash eMMC avec HS400 Haute vitesse 4GB/8GB/16GB Capacité et faible consommation d'énergie pour les appareils électroniques grand public

China Module de mémoire flash eMMC avec HS400 Haute vitesse 4GB/8GB/16GB Capacité et faible consommation d'énergie pour les appareils électroniques grand public on sale
Module de mémoire flash EMMC 5.1 haute vitesse HS400 EMMC 4 Go 8 Go 16 Go basse consommation Conçu pour l'électronique grand public, ce module de m...
China Chips Star Semiconductor Co., Ltd.
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Construction 7B, parc industriel créatif Huaqiang, Guangming, Shenzhen, Guangdong, Chine

Mémoire Flash EMMC pour voiture 64 Go EMMC 5.1 de qualité automobile pour système ADAS

China Mémoire Flash EMMC pour voiture 64 Go EMMC 5.1 de qualité automobile pour système ADAS on sale
Mémoire Flash eMMC Automobile 64 Go eMMC 5.1 Qualité Automobile Pour Système ADAS Présentation de l'eMMC 5.1 de qualité automobile de la marque PG...
China Chips Star Semiconductor Co., Ltd.
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Construction 7B, parc industriel créatif Huaqiang, Guangming, Shenzhen, Guangdong, Chine

RT8231AGQW Contrôleur de commutation Contrôleur complet d'alimentation en mémoire DDR

China RT8231AGQW Contrôleur de commutation Contrôleur complet d'alimentation en mémoire DDR on sale
RT8231AGQW Contrôleur de commutation Contrôleur complet d'alimentation en mémoire DDR Nom du fabricant: Je vous en prie. Catégorie de produit: C...
Wisdtech Technology Co.,Limited
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Chambre 1205-1207, bâtiment Nanguang, rue Huafu, district de Futian, Shenzhen, Guangdong, Chine

MT41K256M8DA-125 : Module électronique BGA de carte PCB de puce du contrôleur 64G de M RDA SDRAM

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MT41K256M8DA-125 : Puces d'IC de composants électroniques de M Chipscomponent Mémoire de SDRAM-DDR3L IC 2Gb en parallèle 800 mégahertz 13,75 NS 7...
Shenzhen Xinshengyuan Electronic Technology Co., Ltd.
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Chambre 2204-2206, Bâtiment A, Phase II, Excellence City, Route Meilin, District de Futian, Shenzhen

SERVICE INFORMATIQUE DE MT46V64M8P-5B : Puissance IC 512Mbit 200MHz parallèle 700Ps 66-TSOP de mémoire de J RDA

China SERVICE INFORMATIQUE DE MT46V64M8P-5B : Puissance IC 512Mbit 200MHz parallèle 700Ps 66-TSOP de mémoire de J RDA on sale
service informatique du micron MT46V64M8P-5B : J SDRAM - la mémoire IC 512Mbit de la RDA mettent en parallèle 200 mégahertz 700 mémoire Chip Vintage d...
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
B5 plat 1/F., Manning Ind. Bâtiment, 116-118 comment Ming Street, pinces de Kwun, Kowloon, Hong Kong

16Mx16 mettent en parallèle la puce 46V16M16 SDRAM - mémoire IC 256Mb d'IC de circuit intégré de la RDA

China 16Mx16 mettent en parallèle la puce 46V16M16 SDRAM - mémoire IC 256Mb d'IC de circuit intégré de la RDA on sale
MT46V16M16P-5B : K TR 46V16M16 SDRAM - parallèle 200MHz 700ps 66-TSOP d'IC 256Mb (16M x 16) de mémoire de la RDA Liste d'autres composants électroniques en stock TLE6250PGV33 INFINEON KGF1155 OKI TC74HC07AP TOSHIBA AD592BN L'ADI SPX29150T-1-8 SIPEX M30873FHBGP#U3 RENESAS SIP21108DT-T1-E3 VISHAY FLI8538-LF-AB GENÈSE RK7002FD5T116 ROHM VS483EPA VOSSEL 2SC3709A-Y (F) TOSHIBA USB2514B SMSC CY7C0241...
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, Chine 518031

16Mx16 mettent en parallèle la puce 46V16M16 SDRAM - mémoire IC 256Mb d'IC de circuit intégré de la RDA

China 16Mx16 mettent en parallèle la puce 46V16M16 SDRAM - mémoire IC 256Mb d'IC de circuit intégré de la RDA on sale
MT46V16M16P-5B : K TR 46V16M16 SDRAM - parallèle 200MHz 700ps 66-TSOP d'IC 256Mb (16M x 16) de mémoire de la RDA Liste d'autres composants électroniques en stock TLE6250PGV33 INFINEON KGF1155 OKI TC74HC07AP TOSHIBA AD592BN L'ADI SPX29150T-1-8 SIPEX M30873FHBGP#U3 RENESAS SIP21108DT-T1-E3 VISHAY FLI8538-LF-AB GENÈSE RK7002FD5T116 ROHM VS483EPA VOSSEL 2SC3709A-Y (F) TOSHIBA USB2514B SMSC CY7C0241...
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